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ESD静电分析矛盾之处,欢迎大家参与讨论
手机与水平耦合板之间形成的电容板,只要距离固定了,形成的电容大小是一定的。
实际上当手机远离耦合板时,形成的电容值更小,更难出现ESD问题。这如何解释呢?
1、假设静电枪注入的是恒定的电压,那电容C越小,Q=C*U,手机上的获得的电荷越小,然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗,和电荷多少有什么关系?
2、假设静电枪注入的是恒定电荷,那么电容C越小,U=Q/C,手机与耦合板之间的电压越高,这样更应该出现问题才对啊?
静电是条不归路,学习ing
上次就发现屏朝上和朝下差别很大,后来经验人士告诉我是tp的原因,至今没搞懂
怎么没人啊,激情在哪?
是不是电容越大,耦合越强?
难得现在有这么认真的工程师了,我谈谈自己的看法,抛砖引玉啊
1、假设静电枪注入的是恒定的电压,那电容C越小,Q=C*U,手机上的获得的电荷越小,然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗,和电荷多少有什么关系?
ans:静电没有恒压还是恒Q的说法,我们平时说的8K、12K其实只是放电瞬间的DC分量电压,静电是ns级别,上升和泄放下降包含DC分量和太多高频AC分量,DC分量可以认为就是你说的恒压;
那我们拿DC分量说事,离耦合板越远,确实电容C越小,但(Q=C*U,手机上的获得的电荷越小)这句是错误的,你要先了解泄放路径的概念:我们都知道静电在主板上乱窜,它一直在找最短路径,一条打静电点到离耦合板最近的铜面路径上,比如电池朝下,电池表面是正极,那静电就想方设法进入VBAT,那在VBAT上挂的IC就悲剧了,比如TP朝下,那静电会通过地,在通过TP走线上的电容或 单级TVS等进入走线打卦TP。
好,假设你电池朝下,但离耦合板很远,那电荷到电池表面就没那么强烈,也就是电流它不按照原路劲走了,分流到很多地方。结果,在VBAT上挂的IC没问题,出现了很多其它的问题。而分流到其它路劲的阻抗不一,V/R=I,每路电流也不一样了,到达最终目的地电池的表面汇集的电流 和 之前只走这路的电流有可能一样,有可能不一样,取决于阻抗。在ns级别里,Q=I*T,Q也有可能一样,有可能不一样。
记住,发生问题取决于泄放路径,离耦合板远近是泄放路径变了,之前有问题的泄放路径变成多条泄放路径,静电才有机可乘进入IC。而原泄放路径电流是小了,因为分流到其它地方了。
2、假设静电枪注入的是恒定电荷,那么电容C越小,U=Q/C,手机与耦合板之间的电压越高,这样更应该出现问题才对啊?
ans:上面理解就行。
6#大神,请受我一拜
分析的很好,但愿自己能理解
谢谢6楼大神指导!
楼主说的是采用IEC61000-4-2的静电敏感度测试方法,静电枪输出的是不同水平的电压,其内部放电电路是330 ohm放电电阻,与150pF的储能电容。通过水平或垂直耦合板对产品放电是空气放电方式,静电枪的静电直接传导至放电耦合板上,然后耦合板再对产品通过空气介质进行放电。其实就是耦合板带静电后,击穿空气对产品放电。所以,耦合板上的静电压越高(耦合板与产品间的静电场越高),越容易击穿空气,进而对产品的静电放电损坏越严重。
路过,学习
学习了。
关注中。
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