• 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
首页 > 电子设计 > EMC/EMI 设计 > 电磁兼容技术问答 > ESD静电分析矛盾之处,欢迎大家参与讨论

ESD静电分析矛盾之处,欢迎大家参与讨论

录入:edatop.com    点击:
静电枪对手机地放电,注入的是恒定电荷还是恒定电压?
手机与水平耦合板之间形成的电容板,只要距离固定了,形成的电容大小是一定的。
实际上当手机远离耦合板时,形成的电容值更小,更难出现ESD问题。这如何解释呢?
1、假设静电枪注入的是恒定的电压,那电容C越小,Q=C*U,手机上的获得的电荷越小,然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗,和电荷多少有什么关系?
2、假设静电枪注入的是恒定电荷,那么电容C越小,U=Q/C,手机与耦合板之间的电压越高,这样更应该出现问题才对啊?

静电是条不归路,学习ing

上次就发现屏朝上和朝下差别很大,后来经验人士告诉我是tp的原因,至今没搞懂

怎么没人啊,激情在哪?

是不是电容越大,耦合越强?

难得现在有这么认真的工程师了,我谈谈自己的看法,抛砖引玉啊
1、假设静电枪注入的是恒定的电压,那电容C越小,Q=C*U,手机上的获得的电荷越小,然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗,和电荷多少有什么关系?
ans:静电没有恒压还是恒Q的说法,我们平时说的8K、12K其实只是放电瞬间的DC分量电压,静电是ns级别,上升和泄放下降包含DC分量和太多高频AC分量,DC分量可以认为就是你说的恒压;
那我们拿DC分量说事,离耦合板越远,确实电容C越小,但(Q=C*U,手机上的获得的电荷越小)这句是错误的,你要先了解泄放路径的概念:我们都知道静电在主板上乱窜,它一直在找最短路径,一条打静电点到离耦合板最近的铜面路径上,比如电池朝下,电池表面是正极,那静电就想方设法进入VBAT,那在VBAT上挂的IC就悲剧了,比如TP朝下,那静电会通过地,在通过TP走线上的电容或 单级TVS等进入走线打卦TP。
好,假设你电池朝下,但离耦合板很远,那电荷到电池表面就没那么强烈,也就是电流它不按照原路劲走了,分流到很多地方。结果,在VBAT上挂的IC没问题,出现了很多其它的问题。而分流到其它路劲的阻抗不一,V/R=I,每路电流也不一样了,到达最终目的地电池的表面汇集的电流 和 之前只走这路的电流有可能一样,有可能不一样,取决于阻抗。在ns级别里,Q=I*T,Q也有可能一样,有可能不一样。
记住,发生问题取决于泄放路径,离耦合板远近是泄放路径变了,之前有问题的泄放路径变成多条泄放路径,静电才有机可乘进入IC。而原泄放路径电流是小了,因为分流到其它地方了。
2、假设静电枪注入的是恒定电荷,那么电容C越小,U=Q/C,手机与耦合板之间的电压越高,这样更应该出现问题才对啊?
ans:上面理解就行。

6#大神,请受我一拜

分析的很好,但愿自己能理解

谢谢6楼大神指导!

楼主说的是采用IEC61000-4-2的静电敏感度测试方法,静电枪输出的是不同水平的电压,其内部放电电路是330 ohm放电电阻,与150pF的储能电容。通过水平或垂直耦合板对产品放电是空气放电方式,静电枪的静电直接传导至放电耦合板上,然后耦合板再对产品通过空气介质进行放电。其实就是耦合板带静电后,击穿空气对产品放电。所以,耦合板上的静电压越高(耦合板与产品间的静电场越高),越容易击穿空气,进而对产品的静电放电损坏越严重。

路过,学习

学习了。

关注中。

关注中

EMC电磁兼容设计培训套装,视频教程,让您系统学习EMC知识...

射频工程师养成培训教程套装,助您快速成为一名优秀射频工程师...

上一篇:YD1032中辐射杂散的测量范围是30M-1785M,辐射连续骚扰的测量范围是30M-1G-
下一篇:手机上市需要的认证

EMC培训课程推荐详情>>

EMC电磁兼容视频培训教程EMC 电磁兼容设计专业培训视频套装,3门视频教程,让你系统学习电磁兼容知识和应用【More..

易迪拓培训课程列表详情>>

我们是来自于研发一线的资深工程师,专注并致力于射频、微波和天线设计工程师的培养

  网站地图