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ESD静电分析矛盾之处，欢迎大家参与讨论

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静电枪对手机地放电，注入的是恒定电荷还是恒定电压？
手机与水平耦合板之间形成的电容板，只要距离固定了，形成的电容大小是一定的。
实际上当手机远离耦合板时，形成的电容值更小，更难出现ESD问题。这如何解释呢？
1、假设静电枪注入的是恒定的电压，那电容C越小，Q=C*U，手机上的获得的电荷越小，然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗，和电荷多少有什么关系？
2、假设静电枪注入的是恒定电荷，那么电容C越小，U=Q/C，手机与耦合板之间的电压越高，这样更应该出现问题才对啊？

静电是条不归路，学习ing

上次就发现屏朝上和朝下差别很大，后来经验人士告诉我是tp的原因，至今没搞懂

怎么没人啊，激情在哪？

是不是电容越大，耦合越强？

难得现在有这么认真的工程师了，我谈谈自己的看法，抛砖引玉啊
1、假设静电枪注入的是恒定的电压，那电容C越小，Q=C*U，手机上的获得的电荷越小，然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗，和电荷多少有什么关系？
ans：静电没有恒压还是恒Q的说法，我们平时说的8K、12K其实只是放电瞬间的DC分量电压，静电是ns级别，上升和泄放下降包含DC分量和太多高频AC分量，DC分量可以认为就是你说的恒压；
那我们拿DC分量说事，离耦合板越远，确实电容C越小，但（Q=C*U，手机上的获得的电荷越小）这句是错误的，你要先了解泄放路径的概念：我们都知道静电在主板上乱窜，它一直在找最短路径，一条打静电点到离耦合板最近的铜面路径上，比如电池朝下，电池表面是正极，那静电就想方设法进入VBAT，那在VBAT上挂的IC就悲剧了，比如TP朝下，那静电会通过地，在通过TP走线上的电容或单级TVS等进入走线打卦TP。
好，假设你电池朝下，但离耦合板很远，那电荷到电池表面就没那么强烈，也就是电流它不按照原路劲走了，分流到很多地方。结果，在VBAT上挂的IC没问题，出现了很多其它的问题。而分流到其它路劲的阻抗不一，V/R=I，每路电流也不一样了，到达最终目的地电池的表面汇集的电流和之前只走这路的电流有可能一样，有可能不一样，取决于阻抗。在ns级别里，Q=I*T，Q也有可能一样，有可能不一样。
记住，发生问题取决于泄放路径，离耦合板远近是泄放路径变了，之前有问题的泄放路径变成多条泄放路径，静电才有机可乘进入IC。而原泄放路径电流是小了，因为分流到其它地方了。
2、假设静电枪注入的是恒定电荷，那么电容C越小，U=Q/C，手机与耦合板之间的电压越高，这样更应该出现问题才对啊？
ans：上面理解就行。

6#大神，请受我一拜

分析的很好，但愿自己能理解

谢谢6楼大神指导！

楼主说的是采用IEC61000-4-2的静电敏感度测试方法，静电枪输出的是不同水平的电压，其内部放电电路是330 ohm放电电阻，与150pF的储能电容。通过水平或垂直耦合板对产品放电是空气放电方式，静电枪的静电直接传导至放电耦合板上，然后耦合板再对产品通过空气介质进行放电。其实就是耦合板带静电后，击穿空气对产品放电。所以，耦合板上的静电压越高（耦合板与产品间的静电场越高），越容易击穿空气，进而对产品的静电放电损坏越严重。

路过，学习

学习了。

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