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EMI对策元件的新进展
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1.微小型化
迫于电子产品向更小、更轻、更灵巧的方向发展,EMI对策元件继续向微小型化发展,如片式磁珠和片式电容器的主流封装尺寸已经逐步从1608(0603)过渡到1005(0402);又如日本村田新发布的3绕组共模扼流圈的尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm;在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸内封装了两个共模扼流圈阵列。
2.高频化
目前,电子产品向高频化发展的趋势十分明显,如计算机的时钟频率提高到几百兆赫乃至千兆赫;数字无线传输的频率也达到2GHz以上;无绳电话的频率从45MHz提高到2400MHz等,因而由高次谐波引起的噪声也相应出现在更高的频率范围,EMI对策元件也随着向高频化发展,例如,叠层型片式磁珠的抑制频率提高到GHz范围。
国内南虹、顺络、麦捷以及国外的Murata、TDK、Taiyo-yuden、AEM、Vishay等公司都已推出性能优良的GHz片式磁珠,其抑制噪声频率在600MHz~3GHz,满足了高速数字电路的要求;村田的3端片式穿心陶瓷电容器的抑制频率范围为3MHz~2000MHz;TDK开发的1005(0402)片式电感器的使用频率达到12GHz。
3.复合化和多功能化
在电子产品中经常有排线部位,如I/O排线。为了使用方便,节省pcb面积,加快表面贴装速度,一些片式EMI对策元件已经阵列化。在1个封装内通常含有2、4、6、8个EMI对策元件。此外,将不同功能的EMI对策元件组合在1个封装内,达到多功能的目的。如将噪声抑制功能与静电放电保护功能组合在一起;将电容器与电感器或电阻器组合在一起;将共模噪声抑制与差模噪声抑制组合在一起等,都体现了向多功能化发展的趋势。
4.新材料和新元件
众所周知,尖晶石型软磁铁氧体和BaTiO3基陶瓷材料在EMI对策中占有十分重要的位置。近年来,又开发出一些新型材料,可用于抗电磁干扰,如6角晶系铁氧体材料、金属磁粉材料、非晶及超细晶金属磁性材料、高分子磁性材料、高分子介质材料、复合介质材料及纳米材料等。这些新型材料将在电磁兼容领域崭露头角,值得人们密切关注。
迫于电子产品向更小、更轻、更灵巧的方向发展,EMI对策元件继续向微小型化发展,如片式磁珠和片式电容器的主流封装尺寸已经逐步从1608(0603)过渡到1005(0402);又如日本村田新发布的3绕组共模扼流圈的尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm;在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸内封装了两个共模扼流圈阵列。
2.高频化
目前,电子产品向高频化发展的趋势十分明显,如计算机的时钟频率提高到几百兆赫乃至千兆赫;数字无线传输的频率也达到2GHz以上;无绳电话的频率从45MHz提高到2400MHz等,因而由高次谐波引起的噪声也相应出现在更高的频率范围,EMI对策元件也随着向高频化发展,例如,叠层型片式磁珠的抑制频率提高到GHz范围。
国内南虹、顺络、麦捷以及国外的Murata、TDK、Taiyo-yuden、AEM、Vishay等公司都已推出性能优良的GHz片式磁珠,其抑制噪声频率在600MHz~3GHz,满足了高速数字电路的要求;村田的3端片式穿心陶瓷电容器的抑制频率范围为3MHz~2000MHz;TDK开发的1005(0402)片式电感器的使用频率达到12GHz。
3.复合化和多功能化
在电子产品中经常有排线部位,如I/O排线。为了使用方便,节省pcb面积,加快表面贴装速度,一些片式EMI对策元件已经阵列化。在1个封装内通常含有2、4、6、8个EMI对策元件。此外,将不同功能的EMI对策元件组合在1个封装内,达到多功能的目的。如将噪声抑制功能与静电放电保护功能组合在一起;将电容器与电感器或电阻器组合在一起;将共模噪声抑制与差模噪声抑制组合在一起等,都体现了向多功能化发展的趋势。
4.新材料和新元件
众所周知,尖晶石型软磁铁氧体和BaTiO3基陶瓷材料在EMI对策中占有十分重要的位置。近年来,又开发出一些新型材料,可用于抗电磁干扰,如6角晶系铁氧体材料、金属磁粉材料、非晶及超细晶金属磁性材料、高分子磁性材料、高分子介质材料、复合介质材料及纳米材料等。这些新型材料将在电磁兼容领域崭露头角,值得人们密切关注。
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