相变化内存原理分析及设计使用技巧

加热器的尺寸非常小，能够快速加热微小的硫系材料的位置，加热时间在纳秒量级内，这个特性准许进行快速写入操作、防止读取操作干扰相邻的数据位。此外，加热器的尺寸随着工艺技术节点缩小而变小，因此与采用大技术节点的上一代相变化内存相比，采用小技术节点相变化内存更容易进行写入操作。相变化内存技术的技术节点极限远远小于NAND和NOR闪存(图3)。

相变化内存的读写速度可媲美闪存，将来会接近DRAM的速度。从系统架构角度看，相变化内存的优点是没有擦除过程，每个位都可以随时单独置位或复位，不会影响其它的数据位，这一点突破了NAND和NOR闪存的区块擦除限制。

内存芯片价格取决于制造成本，Objective Analysis估计。相变化内存制造商将会把制造成本逐步降至竞争技术的水平。相变化内存的每gigabyte价格是DRAM的大约25倍，但相变化内存的储存单元比最先进的DARM的储存单元更小，所以一旦工艺和芯片达到DRAM的水平时，相变化内存的制造成本将能够降到DRAM成本之下。

随着工艺技术节点和晶圆直径达到DRAM的水平，芯片产量足以影响规模经济效益，预计到2015至2016年，相变化内存的每GB(gigabyte)价格将低于DRAM的平均价格。虽然相变化内存向多层单元(multi-level cells)进化，该技术制造成本将会降至DRAM价格的二分之一以下，从而成为继NAND之后第二个成本最低的技术。再早关注相变化内存技术也不算早。我们知道闪存正在接近其不可避免的技术升级的极限，相变化内存等技术必将取而代之。相变化内存厂商透露，在2015年左右，这项技术的价格将会与DRAM的价格持平，届时相变化内存将开启一个全新的内存系统设计思维方式。

来源：电子发烧友