- 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计
录入:edatop.com 点击:
仿真结果与分析
本电路采用0.35μm SiGe BiCMOS的工艺进行仿真,因为SiGe晶体管具有较高的截止频率,符合工作频率在1.8GHz的要求。此外,它与CMOS工艺有很好的兼容性,可以实现高集成度的芯片。
在Cadence上通过SpectreRF工具仿真后,得到输出功率和附加功率效率(PAE)随频率变化曲线(如图3所示)。当电源电压为1.5V,在1.8GHz时,PAE达到最大值45.4%,漏极效率也达到最大值的66.2%,此时的输出功率为26dBm。
图3 PAE和输出功率随频率变化曲线
由图4还可看出,偶次谐波在输出端中并不占主导地位,它被大大的削弱了,相比单端口功率放大器,该器件在谐波失真方面有较大的改善。当输入频率为1.8GHz,电源的输出电流如图5所示,通过计算可以得到电源的输出功率为595.5mW。图6所示为漏极电压VD经过调谐网络后保留下的基次波部分波形,由此可以计算得到负载(50Ω)上的功率为394mW。
图4 输出端谐波
图5 电源电流
图6 输出电压波形
1 2