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高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计

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  仿真结果与分析

  本电路采用0.35μm SiGe BiCMOS的工艺进行仿真,因为SiGe晶体管具有较高的截止频率,符合工作频率在1.8GHz的要求。此外,它与CMOS工艺有很好的兼容性,可以实现高集成度的芯片。

  在Cadence上通过SpectreRF工具仿真后,得到输出功率和附加功率效率(PAE)随频率变化曲线(如图3所示)。当电源电压为1.5V,在1.8GHz时,PAE达到最大值45.4%,漏极效率也达到最大值的66.2%,此时的输出功率为26dBm。

  PAE和输出功率随频率变化曲线

  图3 PAE和输出功率随频率变化曲线

  由图4还可看出,偶次谐波在输出端中并不占主导地位,它被大大的削弱了,相比单端口功率放大器,该器件在谐波失真方面有较大的改善。当输入频率为1.8GHz,电源的输出电流如图5所示,通过计算可以得到电源的输出功率为595.5mW。图6所示为漏极电压VD经过调谐网络后保留下的基次波部分波形,由此可以计算得到负载(50Ω)上的功率为394mW。

  输出端谐波

  图4 输出端谐波

  电源电流

  图5 电源电流

  输出电压波形

  图6 输出电压波形

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