100G DWDM优化OSNR的技术

　　报告说明了该实验基于G.652光纤，按照10×100KM跨段来进行系统搭建，每个跨度平均衰耗为20.5db。系统采用40个符合PM-QPSK码型的标准OUT来产生40个波长，其中39个为线路速率112G基于硬判决的56G的采样速率波长；1个波长为采用128 Gbps速率的基于软判决的65G 的波特率采样通道的波长，这个波长工作在1552.52nm中央频段，开通基于TPC编码的软判决SD-FEC。测试通道和其他39个邻居波长使用相同的WSS系统，在每一个跨段输出功率为+3 dbm。在传送10个跨段后，在测试通道加载噪声，并使用光谱分析仪（OSA）测量ONSR, OSA和误码仪显示测试结果表明系统达到目标。虽然AT&T这个实验室测试系统受成40nm ASCI熟套片数量的限制，只开通了SD-FEC的波，远低于国内40个波长的测试要求；系统的发射光功率也大于国内标准的1-2db(这会改善ONSR性能)，但他毕竟为高性能芯片将SD-FEC带入实践商用做出了积极的尝试。

　　为进一步解决高速率通道所带来的系列问题，不仅仅是仅仅解决SD-FEC的错误平层和算法复杂度带来的128G速率的提升，而是面向更具有挑战性的400G甚至1T应用，阿尔卡特朗讯在2012年3月发布了业界首个基于400G速率技术的解决的ASIC芯片。如同下表二对比，这个芯片超越现有芯片技术200%以上，预计可在2012年Q4带来整个业界SD-FEC解决方案的全面更新，行业内的软判决成熟套片的解决方案也将全面成熟。

表三　400G芯片关键新能对比

　　四、结论

　　2012年国内100G的研讨已从"Why为什么"建设深入到"How 怎么"建设100G上来。在既有码型和固定发射功率的下，有两种方法提升Rm点的系统OSNR门限。经过本振技术优化后的系统在不增加额外线路开销的情况下，B2B OSNR已与复杂算法的SD-FEC性能接近。由于100G相对40G技术，基于偏振复用相干检测天生对DGD和色度色散不敏感，因此可将Q 裕量从40G的3-3.5db 下降到2-2.5db，优化后的100G的系统ONSR门限完全与40G相同，甚至优于某些码型的40G系统。SD-FEC 是第三代FEC技术发展的方向，在牺牲有效带宽到20%冗余的情况下，可以提升OSNR预算1.3 db。由于SD-FEC本身的复杂对硬件实时处理的要求很高，软判决和硬判决不是取代关系而是配合关系。目前，AT&T首次测试了针对128G 速率千万门电路的40nm的芯片成熟性，阿尔卡特朗讯也在2012年Q1发布了基于400G技术的全新处理芯片。成熟套片技术的快速发展，必将大幅提升DWDM的网络传送容量以及网络OSNR性能。

　　作者简介：

　　郭中华，华中科技大学通信与系统硕士。在光网络领域有10余年的工程设计、网络规划、产品规划与定义、整体解决方案的经验。2005年加入阿尔卡特，负责重大项目以及产品定义、跨领域的总体解决方案构。曾任解决方案部副总监以及光网络首席架构师。现任阿尔卡特朗讯（上海贝尔）国内销售支持总部，光网络总监。