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IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA设计
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对于单级放大器而言，其噪声系数的计算为式中：Fmin为晶体管的最小噪声系数，是由放大器晶体管本身决定的；Γopt、Γ8和Rn分别为获得Fmin时的最佳反射系数、晶体管输入端源反射系数以及晶体管的等效噪声电阻。
放大器的噪声系数与信号源的阻抗有关，而与负载无关。一个晶体管，当它的源端所接的信号源的阻抗等于它所求的最佳源阻抗时，由该晶体管构成的放大器的噪声系数最小；而第一级噪声系数起着决定性作用，所以第一级放大器必须实现最佳噪声源阻抗设计。
1.2放大器增益分析
为了对放大器的增益进行分析，图1给出了阻抗匹配示意图。VG为源电压，ZG为源阻抗，Zin为输入阻抗。输入功率用集总参量可表示为
作者：李佳，张万荣，谢红云，张蔚，沈珮，甘军宁 来源：半导体技术
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