我说一部5G智能手机需要有这样的芯片，你看靠谱不

存储器

移动设备OEM厂商们目前正在使用的存储器是基于LPDDR3和LPDDR4的移动DRAM，它们是PC DRAM的低功耗版本，专用于移动设备。

一些人希望能够扩展平面型移动DRAM，而且正在开发一个渐进的项目，即LPDDR5，它会在2017年或2018年准备就绪。

"我们认为，在2020年之前的大多数智能手机使用的仍然是LPDDR4技术，"美光的高级产品营销经理Ken Steck表示。"LPDDR5和其他高级存储技术最有可能在高端智能手机中得到应用，但应该不会普及，2020年时手机的存储密度预计将为当今的2倍。"

OEM厂商也可以转向一种被称为Wide I/O-2的3D DRAM技术，另一个可能的下一代存储器类型是磁阻RAM和ReRAM。

射频前端

射频（RF）技术是无线基础设施的另一个关键部分。今天的4G网络运行在700MHz到3.5GHz之间。相比之下，5G网络需要运行在非授权频段或毫米波频段，将提供超过4G网络十倍的带宽。5G可能运行在6GHz到60GHz之间，甚至更高的频段。

在今天的4G手机中，RF前端必须支持超过40个频段、三载波聚合带和一个8 x 8的MIMO。像比较而言，根据RF芯片制造商Skyworks Solutions的说法，5G智能手机中的射频前端需要支持五载波聚合带、50个频段和一个庞大的64 x 8的MIMO。

智能手机的射频前端需要作出改变，才能顺利过渡到5G网络。典型的射频前端包括三个主要组件：功率放大器、天线开关和滤波器。现在的射频前端都在转用多模多基带的功率放大器，通常而言，功率放大器基于砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）技术，放大手机中的射频信号。

砷化镓技术还有发展的潜能，但是由于我们要运行在更高的频率上所以我们可能需要转向不同的材料商，比如磷化铟。

另一个关键组成部分是射频开关，它通常基于RF-SOI技术，目前该技术已经成熟，越来越多的制造商可以生产它，但是在我们需要一个更高的频率时，我们需要一个大的跳跃，如果RF-SOI的发展后继乏力了，业界可能会在射频开关应用中选择MEMS技术。

MEMS技术已经被证明可以在各种半导体技术中实现最低的插入损耗，并实现最高的线性度，但是RF-MEMS也面临一些挑战，尤其是成本，在RF-MEMS技术达到成熟之前，在可以预见的未来，RF-SOI仍将是未来无线网络的主要选项。

然而，射频开关或其它组件可能不是5G的最大挑战，5G网络面临的最大挑战是互操作性，用户必须能够无缝且有效地在多个高速无线标准之间切换，而不会影响服务质量。

总而言之，要想真正实现5G，业界需要付出巨大的努力，5G网络需要整个半导体生态系统更加紧密的合作。

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