● 读写数据的设计
在设计好采集数据的地址发生单元后，接下来就是配合时序进行读写操作。
图4是RAM的读操作时序图，从图中可以看出，当指定待操作的地址后，设置芯片使能信号OE和片选使能信号CE有效，即可从数据线上读出相应地址内的数据。
 图4 RAM的读数据时序图 对于单片RAM的操作比较简单，但是要将数据顺序写入8片RAM中，就要求对上一片RAM写操作完成后，系统能够设置下一个待操作的RAM 有效，128位数据线分别对应8片RAM的数据线，由于地址线和读写使能线公用，则需要分别设置每个RAM的片选，以区别当前操作是针对哪一个RAM。片 选信号可以由译码器产生。读操作时设置相应RAM的片选有效，即可读出存储的数据，而进行写操作时，则可以设置所有的RAM片选有效，将采集到的数据同时 并行的写入8片RAM中。根据这些描述，片选信号的设计如图5所示。NIOMD为操作的状态信号，说明当前的操作是读状态或是写状态，读数据情况下设置为 1，片选信号分别有效，写数据情况下设置为0，所有RAM均处于片选有效状态下，可以同时写入数据。这样的设计也是为了配合系统的需求，一般的，读取数据 的速度相对于写数据来说还是要快一些的。
 图5 RAM片选使能信号设计 仿真验证
将上述设计方案整合后，配合其他控制信号的设计，就完成了数据采集系统数据存储功能的设计。在QuartusII软件中对上述设计进行波形 仿真，可以看到设置SET值及相应的状态控制信号，则在VDB端就可以按照CS指示的相应的RAM芯片中顺序读出预先存入的数据。按照图中所示的状态寄存 器设置，读取深度设置寄存器设置为最小值SET[4...1]＝000，即只读每片RAM的首个存储数据，则地址发生器的最高值为8，从图中可以看到当地 址发生器输出值增加到8时，WE跳变为高电平，RAM的读使能无效。由于AB[3]＝1，使得CNTEN=1,地址发生器的计数时钟使能无效，计数器停止 计数，完成一轮数据的读取操作。读数据仿真验证结果如图6所示。
 图6 读数据仿真验证 在图6中，对于当前数据线上的数据串DB=0010，0011，1010，1110，1101，0011，1001，0111，片选信号 CS低电平有效，当CS=11011111时，即选中按顺序由低位到高位计算的第6片RAM，此时对应的在VDB上读出的数据应该为DB的第6个数据值， 即为1010。从波形方针图上得到验证。
结语
利用FPGA的内部资源，设计灵活的逻辑控制，完成高速大容量数据采集的存储和传输设计，本文提出的设计方案可以在选用低成本、操作简单的 静态RAM组的情况下，实现实时大容量数据存储需求的一种设计方法，并在EDA软件中进行了仿真验证，成功地应用在1GS/s数据采集模块中。
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