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新型BiCMOS带隙基准电路的设计

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2 带隙基准电路仿真结果

电路采用Xfab O.35μm BiCMOS的工艺模型库,用Cadence Specte仿真器对电路进行仿真模拟。当电源电压为3.3 V时,图6和图7分别是温度相关性和电源抑制比(PSRR)的曲线图。结果显示,本带隙基准输出O.5 V稳定电压,在-40~+125℃的温度范围内,温漂为15 ppm,电路表现出良好的温度特性。同时,低频时基准电压源的电源抑制比可达-103 dB,在40 kHz以前电源抑制比小于-100 dB。图8是本电路在不同工作电压下的输出电压,可见电路正常启动电压为2 V,电路启动后基准电压的变化小于O.06 mV。

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3 结语

带隙基准电压电路作为模拟电路中的重要模块对A/D采集精度、电源管理芯片的性能都有重要影响。本文设计了一种高精度、高电源抑制比、低电压的带隙基准电路,并且实现了对基准电压的外部修调。结果表明:电路在3.3 V电源电压,-40~+125℃下能提供稳定的0.5 V基准电压输出,温漂15 ppm,低频时电源抑制比-103 dB,达到了设计要求。

作者:李沛林 杨建红   来源:现代电子技术

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