集成电路热插拔电路

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图2b。 CH1为电流; CH2的是第二季度栅极电压。

此电路的优点，与图1a是，目前的限制是始终启用。这种积极的功能附带了一个缺点：与负载系列R1的增加功耗。此外，电流限制可以更改高达± 20的Q1的VBE中在温度变化范围为-40 ° C至+85 ° C的后果%在图1a(在图2a，如果将齐纳二极管)应足够小，以保护晶体管，但足以让场效应管其身份证在最低范围内充分传导的RDS(ON)。

优势热插拔电路

集成电路为基础的热交换电路提供小型封装许多功能，他们需要很少的外部元件。图3a，例如，显示了低电压热插拔应用程序，只需要一个电流检测电阻(R1)和2.7之间的一系列通元操作(第一季度)至13.2V。该电路提供浪涌电流限制(图3b)和双过电流故障保护，而从高振幅电路故障和一个低振幅反应迟缓MAX4370组成快速反应，破坏性的过电流条件。

图3a。一个IC的热插拔电路使用MAX4370提供了更好的准确性和使用的几部分

图3b。请注意在该启动波形范围阴谋ILOAD限制。数据生成与MAX4370热插拔控制器。

在MAX4370已连续电流监测，并在图2a的电路。在MAX4370的版本，但是，具有较好的初始精度和更好的比图2a离散版本的高温性能。在图2a PNP晶体管有一个为2mV /℃，生产范围内为± 120mV时近似输出温度偏移变化从-40℃至85℃，25℃起典型VBE中漂移为± 6.5mV和±为慢速和快速电流限制在20mV的比较图3a MAX4370，但是，展览的最大漂移。

晶体管的VBE中指定很少，但MAX4370有一个电压跳变点是明确和低得多：50mVTH，这是十二分之一是在0.6V的VBE中。其结果是一个具有更少的功耗更小检测电阻。此外，该集成电路为基础的电路做图1a和2a的电路不能：

利用成本较低的n通道MOSFET

提供一个状态输出

响应低收入和高层次的故障情况

提供一个电源控制端子(ON)为负载控制或针双卡插入合适的检测

提供自动重试和锁存故障管理

提供的I ? C兼容接口

过温检测，并提供热关断

支持多电压系统和喜欢的PCI - Express ?标准的具体应用

在图3a MAX4370还作为一所负载断电闭锁故障时，检测电路断路器。如果一个应用程序需要自动重试或15V的电感，回扣的保护，您也可以替换一个MAX4272或MAX4273热插拔控制器。

高电压，集成电路为基础的热插拔电路可以节省电路与离散的空间。阿如MAX5902(图4a和4b SOT23封装大小的控制器)从9V至72V操作，只需要一个外部P沟道MOSFET(第一季)的基本操作。该电路无需电流检测电阻以限制浪涌电流或检测故障情况。相反，它采用一个电流检测元件上的一个P沟道MOSFET(第一季)的RDS(ON)。