如何降低外置电源的能量消耗

当FET关断时，包括FET的Coss等在内的寄生电容、变压器电容、反射回来的二极管电容将会充电。当FET重新回到导通状态时，这些寄生电容又会对FET放电，由此导致的很大的峰值电流是开关损耗的主要原因。

然而，在准谐振转换器中，控制器会检测FET的源漏极间的电压，控制器仅在源漏极间的电压最小时的第一个波谷处使FET导通，开关频率与振荡器无关，而是取决于主电感、电容、输入电压和输出功率。图3显示了这种方式的工作原理。

图3 源漏极间的电压最小时的电压波形

准谐振开关方式大大削减了电流尖峰，从而也就减小了开关损耗和EMI。采用这种设计，可以实现零电压、高效率，并减小开关FET上的应力。

几种办法可以提高待机模式的效率，这些方法通常都采用降低开关频率的技术，因为在待机状态下，开关损耗占了总损耗的大部分，并且与频率直接相关。

如果反激式电源工作在非连续模式下，输出二极管的开关损耗会很低，因为在电压翻转之前，流过二极管的电流为零。初级侧FET的开关损耗可以用式(1)来近似计算，其中VDS是漏源电压，fSW是开关频率，IDSpk是峰值耗尽电流，tSWon和tSWoff)是转换时间。

PSWfet=1/2VDSIDSpk fSW(tSWon=tSWoff) (1)

为改善待机效率，FPS使用了突发模式来降低待机时的频率，参见图4。

图4 准谐振转换器的突发模式减少了对电源的使用

当产品的负载进一步减小，反馈电压Vfb也会减小。当反馈电压低于500mV时，器件会自动进入突发模式。

主器件仍然会继续工作，但内部的电流限值将会降低，以限值变压器中的磁通密度。当反馈电压继续降低时，器件仍将继续开和关。

当反馈电压降低到350mV时，器件将停止开关，电源的输出电压将根据负载电流的大小，成比例地降低，从而使反馈电压升高。

当Vfb达到500mV时，器件将重新进行开关，重复上面的过程。这种突发模式的好处是可以大幅降低在待机模式下浪费的功率。例如，在驱动0.3W负载时，飞兆公司的FSDH321仅从市电网吸收0.65W的功率。

降低待机模式和活动模式的另一种办法是减小消耗在启动电阻上的功率，因为除非采用昂贵的切断电路，在将电源接到交流市电时会用到启动电阻。 大多数FPS器件的内部有一个高压电流源，因此不需要启动电阻。在系统启动之后，电流源与高压直流部分的连接会被切断，从而节约更多的能源。