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小信号MOSFET及其应用
N沟道MOSFET概述
N沟道MOSFET有三个电极,分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时,漏、源极之间无原始导电沟道,ID=0;当VGS>0但是比较小时,漏、源极之间也无导电沟道。当VGS>VGS(th), 在D和S之间加正电压,就会产生漏极电流ID,ID将随VGS的增加而增大。
用MOSFET作为开关应用时,可以用图1中的模型来分析,当G、S极电压为零时,D、S不导通,相当于开路。当栅极电压为10V,源极电压为0V时,就有电流ID流过漏、源极,漏极和源极之间处于导通状态。MOSFET内部漏极、源极之间有一个寄生的反向二极管。该二极管在电路图中常常未被标出,当MOSFET处于关断状态,如漏源极有负向电压时,二极管可能会导通,在设计时要注意这一点。
图1 MOSFET作为开关的应用
在MOSFET的规格书中,通常会给出MOSFET的特性参数,如输出曲线、输出电压、通态电阻RDS(ON)、栅极阀值电压VGS(TH)等。在选择MOSFET时,需要根据电路的具体要求选择适当的参数。同时注意,每个参数都有对应的测试条件。
虽然在MOSFET的规格书中会给出很多参数,但有五个参数是最重要的:首先要选择合适的封装;第二,要看击穿电压额定值(VDSS);第三,选择适当通态电阻RDS(on);第四,要看栅极电荷量QGD,它会影响开关速度;第五,要看栅极阀值电压VGS(TH),它是刚刚开始形成导电沟道的栅、源极电压。
击穿电压V(BR)DS是指PN结发生击穿后,在输出特性曲线中漏极电流ID从水平开始迅猛上升时的漏源极电压值,是在关断时漏源极能承受的最大电压。在规格书中,会给出结测试条件,比如结温是25℃到150℃,参考标准是IEC600134。
当MOSFET处于导通状态时,漏源极之间可以看做一个电阻,阻值通常是欧姆或者毫姆。该通态电阻是影响最大输出的重要参数,在开关电路中它决定了信号输出幅度与自身损耗。通态电阻会受到漏极电流、栅源极电压与温度的影响。在设计时,可参考RDS曲线。
在MOSFET开关期间,由于残存电荷的存在,MOSFET会消耗很大的能量。这个开关损耗,会使器件的温度升高。开关能量损耗,主要取决于栅极电荷量QGD,QGD较小的话,开关损耗就小。
栅极阀值电压VGS(TH)表示开始有规定的漏极电流时的最低栅极电压。在工业应用中,常将漏极短接条件下ID>1mA时的栅极电压定义为阀值电压。阀值电压会随结温而变化,所以通常在规格书中会标出其最小值和最大值。
再比较一下N沟道和P沟道MOSFET。N沟道MOSFET在VG>VS时,D、S导通,电流ID从D流向S。 P沟道MOSFET在VG<VS时,D、S导通,电流从S流向D。
在设计开关电路时,通常会用到MOSFET或者双极性三极管。其中,MOSFET有低通电组和寄生二极管,具有负温度系数特性,由电压驱动,可支持高的开关速度,但是对ESD敏感。双极性三极管有比较低的饱和导通压降,没有寄生二极管,具有正温度系数特性,电流驱动,只支持低的开关速度,但抗ESD等级很高,人体静电模型通常会大于10千伏。
小信号MOSFET的典型应用
在电源管理应用中,MOSFET最常见的应用是做负载开关或者信号开关。由于通态电阻低,减小了传导损耗,所以功率损耗也就小,D、S间产生的压降也就小。MOSFET产品系列很多,可选择合适的阀值门限电平,满足不同的负载要求。
图2中左图为一个N沟道和一个P沟道的MOSFET的方案。Q2导通时,Q1也导通;Q2关断时,Q1也关断。右图则把Q2换成了更常用的双极性三极管。双极性三极管没有门限电平,需要设计好积极驱动,使三极管处于开关状态。
图2 小信号MOSFET的典型应用——浮栅操作
图3中的负载开关广泛应用于电视、机顶盒、平板显示器、电源、电脑主板等产品中。图中的PMV65XP和BC847是恩智浦的产品。PMV65XP为一个P沟道MOSFET,而BC847是一个双极性三极管。这类电路的成本比两个MOSFET要便宜。
图3 小信号MOSFET的典型应用——负载开关
在电源应用中,也经常会用到负载开关,如用做电池分配。通常用两个双极性三极管,或两个MOSFET作VCC开关切换。比如机顶盒的28V、20V、12V和5V开关,DVD的112V、5V开关,电视的8V、10V、14V和140V开关。
在半桥、全桥应用中,会用到电压较高的MOSFET。在这里,推荐使用SOT223 封装的N沟道MOSFET。它的VDS为100V,最大漏极电流为2A、3.5A和6A。
在汽车电子的马达驱动应用中,功率额定值从3W(12V)到40W(48V),频率较低,通常从60Hz到100Hz,这种应用属于低速开关应用,不要求很高的开关性能,在这里推荐使用SOT223封装,击穿电压为30V、55V、60V、75V、100V和110V。
在消费电子产品应用中,也有一些马达驱动电路,如图4所示。其中,SOT23 封装最常用,如果需要小型化,也可以选用SOT323或SOT883封装。设计时,可选用通态电阻较小的,从而减小损耗。
图4 小信号MOSFET的典型应用——消费类电子产品中的马达驱动电路
作者:NXP公司 来源:中电网
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