针对下一代LTE基站发射机的RF IC集成设计策略

通过集成先进的小数N分频PLL和VCO，ADRF670x系列集成式调制器解决了上述许多问题。使用硅锗技术能让内置VCO的正交调制器和混频器的动态范围达到业界领先水平，并且具有竞争优势的性能，而体积显著小于外接VCO/PLL解决方案。VCO在上层厚金属层中实现，可将高Q值的片上电感用作LC电路的一部分。VCO电容是用MOS开关型MIM电容组成的，因此允许VCO在宽频范围内切换频率，并具有较低的相位噪声。每次编程PLL频率时都会自动调整频带，因而能提供独立和可靠的解决方案。在初始化完成后，频带大小的选择要确保器件能在整个温度范围内正常工作。厚金属层还用来集成具有出色反射损耗的输出平衡不平衡转换器(Balun)。ADRF670x系列由4个频率参数互相重叠的成员组成，覆盖从400MHz至3GHz的频率范围和频带，每个成员都是根据1dB和3dB通带上的输出Balun带宽定义的。

ADRF670x和ADRF660x系列小数N分频PLL设计是低相位噪声的3G和4G应用的理想之选。这些新的蜂窝标准具有密集的信号星座，要求越来越低的本振相位噪声以获得足够的性能。传统的PLL合成器设计使用"整数N"架构，其输出频率是鉴相器频率的整数倍。为提供较小的频率步进，整数倍增因子必须非常大。大量本振相位噪声源于参考路径，并被PLL频率倍增因子所放大，这将导致PLL输出端产生很高的带内噪声。小数N分频PLL允许输出频率有较小的步进，同时保持低的总倍频值，因而与整数N分频PLL相比，可以降低相位噪声放大值。

邻信道功率比(ACPR)是判断发射信号有多少泄漏进相邻频带的一个指标。像WCDMA等3G标准对带外发送功率有严格限制。ADRF6702的ACPR指标见图3。调制器提供高度线性的输出功率和低噪声，因此在-6dBm输出点有优于-76dB的ACPR值，这有助于减少调制器后面的增益级数，并使末端功放级电路前面的动态范围达到最大。

ADRF670x系列器件集成了3个LDO电路，可在单5V电源下工作，从而进一步简化了用户应用、减小了成本和电路板面积。LDO用于向VCO、电荷泵以及PLL增量累加调制器提供稳定电源，+5V电源可直接用于I-Q调制器，以使输出功率最大。

在高密度应用中，ADL670x可以利用PLL完成本振的内部合成，而其它器件可以禁用它们的PLL，并使用来自某个主器件的公共本振。

ADRF670x系列产品设计用于简化用户接口，方便与ADI最新的发送数模转换器AD9122和GaAs放大器(如ADL5320)的连接。(ADL5320是一个0.25瓦高线性度放大器，能够将0dBm以上功率驱动进最末级功放电路。)这三个尺寸紧凑的IC构成了一个完整的有源IC器件组合，是所有下一代多载频蜂窝无线平台的理想之选。