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常用中英文测试测量术语大全
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Absolute Accuracy（绝对准确度）：
仪器的读数和对于公认的标准机构认可的标准具有绝对溯源性的一级标准的读数之间接近程度的度量。
Auto-Ranging（自动量程）：
仪器自动地在各个量程之间切换，以确定给出最高分辨率的量程的能力。各个量程通常是按十进值步进的。
Auto-Ranging Time（自动量程时间）：
对于具有自动量程能力的仪器来说，自动量程时间是从向仪器加入步进输入信号到仪器显示出结果之间的时间间隔，其中包括确定并改变到正确量程的时间。
Bandwidth（带宽）：
在一定的限度内能够通过或者放大的频率范围。带宽通常按-3dB（半功率）点来规定。
Capacitance（电容）：
在电容器或者由导体和介电材料组成的系统中，当导体之间存在电位差时，能够储存电气上分离的电荷的性质。电容与电荷及电压的关系为：C=Q/V，其中C为以法拉为单位的电容， Q为以库仑为单位的电荷，V为以伏特为单位的电压。
Carbon Nanotube（碳纳米管）：
由单层碳原子形成的、具有新的电学和张力性质的管状纳米器件。这种纤维可能表现出象铜那样高的导电性,，象金刚石那样的导热性，其强度比钢高100倍，而 重量却只有钢的六分之一，能够承受很高的应变而不会损坏。这种材料可以是超导体、绝缘体、半导体或者导体（金属）。非碳的纳米管通常称为纳米线，通常由氮 化硼或者硅生成。
Channel（switching）（通道与开关）：
开关卡上若干个信号通道之一。对于扫描器或多路选通卡来说，在测量电路中通道用作开关输入，在源电路中通道用作开关输出。在开关卡上，每个通道与其它的通道独立。在矩阵卡上，通道则由行列交叉点上的继电器的动作而形成。
Contamination（沾污）：
通常用来说明不希望的物质对半导体或绝缘体的物理、化学、或电学性质的不良的影响。
D/A（Digital-To-Analog）Converter（数模变换器）：
用来把数字信息变换成模拟信号的电路。在很多的仪器中都使用数模变换器来提供隔离的模拟输出。
Digital Multimeter（DMM）（数字多用表）：
将模拟信号变换成数字信息并进行显示，测量电压、电流、电阻、或其它电参数的电子仪器。
Drift（漂移）：
输入信号或者工作条件不变时，读数的逐渐变化。
Dry Circuit Testing（干电路测试）：
为了不影响被测器件的氧化层或者使其发生其它性能下降，保持器件两端的电压为一定电平（例如 < 20mV）的测量过程。
Electrochemical Effect（电化学效应）：
由沾污和湿度引起的原电池效应而产生电流的现象。
Electrometer（静电计）：
专门精制的直流多用表。与数字多用表相比，静电计的特点是更高的输入阻抗和更高的电流灵敏度。它还可能具有一般数字多用表所没有的功能（例如，测量电荷、输出电压等）。
EMF（电动势）：
电动势或者热电势。EMF通常用于由电磁、电化学或者热电效应产生的电压差的情况。
Electrostatic Coupling（静电耦合）：
由导体附近变化或运动的电压源产生电流的现象。
Error（误差）：
测量结果与其真值的偏差（差值或者比率）。真值由其本质决定是不可能确定的。参见Random Error和Systematic Error。
Fall Time（下降时间）：
信号从其峰-峰值的一个大的百分比（通常为90%）变到其峰-峰值的一个小的百分比（通常为10%）所需要的时间。参见Rise Time。
Faraday Cup（法拉第杯）：
法拉第杯（有时又称为法拉第笼或法拉第桶）是用金属板或者金属网制成的封闭设备。它由两个电极组成，一个在另一个的内部，由绝缘体分开。内电极连到静电计， 外电极连到地。当带电物体放到内电极里面的时候，所有的电荷就将流到测量仪器。由于闭合、中空的导体中的电场为零，所以，法拉第杯就把放在其内部的物体屏 蔽起来，不受大气的或者任何寄生的电场的影响。这样就能准确地测量物体上的电荷。
Auto-Ranging（自动量程）：
仪器自动地在各个量程之间切换，以确定给出最高分辨率的量程的能力。各个量程通常是按十进值步进的。
Auto-Ranging Time（自动量程时间）：
对于具有自动量程能力的仪器来说，自动量程时间是从向仪器加入步进输入信号到仪器显示出结果之间的时间间隔，其中包括确定并改变到正确量程的时间。
Bandwidth（带宽）：
在一定的限度内能够通过或者放大的频率范围。带宽通常按-3dB（半功率）点来规定。
Capacitance（电容）：
在电容器或者由导体和介电材料组成的系统中，当导体之间存在电位差时，能够储存电气上分离的电荷的性质。电容与电荷及电压的关系为：C=Q/V，其中C为以法拉为单位的电容， Q为以库仑为单位的电荷，V为以伏特为单位的电压。
Carbon Nanotube（碳纳米管）：
由单层碳原子形成的、具有新的电学和张力性质的管状纳米器件。这种纤维可能表现出象铜那样高的导电性,，象金刚石那样的导热性，其强度比钢高100倍，而 重量却只有钢的六分之一，能够承受很高的应变而不会损坏。这种材料可以是超导体、绝缘体、半导体或者导体（金属）。非碳的纳米管通常称为纳米线，通常由氮 化硼或者硅生成。
Channel（switching）（通道与开关）：
开关卡上若干个信号通道之一。对于扫描器或多路选通卡来说，在测量电路中通道用作开关输入，在源电路中通道用作开关输出。在开关卡上，每个通道与其它的通道独立。在矩阵卡上，通道则由行列交叉点上的继电器的动作而形成。
Contamination（沾污）：
通常用来说明不希望的物质对半导体或绝缘体的物理、化学、或电学性质的不良的影响。
D/A（Digital-To-Analog）Converter（数模变换器）：
用来把数字信息变换成模拟信号的电路。在很多的仪器中都使用数模变换器来提供隔离的模拟输出。
Digital Multimeter（DMM）（数字多用表）：
将模拟信号变换成数字信息并进行显示，测量电压、电流、电阻、或其它电参数的电子仪器。
Drift（漂移）：
输入信号或者工作条件不变时，读数的逐渐变化。
Dry Circuit Testing（干电路测试）：
为了不影响被测器件的氧化层或者使其发生其它性能下降，保持器件两端的电压为一定电平（例如 < 20mV）的测量过程。
Electrochemical Effect（电化学效应）：
由沾污和湿度引起的原电池效应而产生电流的现象。
Electrometer（静电计）：
专门精制的直流多用表。与数字多用表相比，静电计的特点是更高的输入阻抗和更高的电流灵敏度。它还可能具有一般数字多用表所没有的功能（例如，测量电荷、输出电压等）。
EMF（电动势）：
电动势或者热电势。EMF通常用于由电磁、电化学或者热电效应产生的电压差的情况。
Electrostatic Coupling（静电耦合）：
由导体附近变化或运动的电压源产生电流的现象。
Error（误差）：
测量结果与其真值的偏差（差值或者比率）。真值由其本质决定是不可能确定的。参见Random Error和Systematic Error。
Fall Time（下降时间）：
信号从其峰-峰值的一个大的百分比（通常为90%）变到其峰-峰值的一个小的百分比（通常为10%）所需要的时间。参见Rise Time。
Faraday Cup（法拉第杯）：
法拉第杯（有时又称为法拉第笼或法拉第桶）是用金属板或者金属网制成的封闭设备。它由两个电极组成，一个在另一个的内部，由绝缘体分开。内电极连到静电计， 外电极连到地。当带电物体放到内电极里面的时候，所有的电荷就将流到测量仪器。由于闭合、中空的导体中的电场为零，所以，法拉第杯就把放在其内部的物体屏 蔽起来，不受大气的或者任何寄生的电场的影响。这样就能准确地测量物体上的电荷。
Feedback Picoammeter（反馈式皮安计）：
使用运算放大器反馈结构把输入电流变换成电压进行测量的灵敏的安培计。
Floating（浮地）：
在大地和感兴趣的仪器或电路之间存在共模电压的电路状态。（电路低端不连到地电位）
Hall Effect（霍尔效应）：
当导体放在磁场中时，测量跨越该导体的横向电压。通过这种测量，可以确定硅中的载流子的类型、浓度和移动性。
High Impedance Terminal（高阻抗端子）：
源阻抗乘以期望的寄生电流（例如：1礎）超过需要的电压测量灵敏度的端子。
Input Bias Current（输入偏置电流）：
由于仪器内部的电流和偏置电压而在仪器输入端流动的电流。
Input Impedance（输入阻抗）：
在输入端测量出的并联的电阻和电容（或者电感），不包括输入偏置或者偏置电流的影响。
Input Offset Current（输入偏置电流）：
为了使输出指示值为零，而在差动仪器的输入测量端加入的两个电流之差（输入电压和偏置电压均为零）。有时非正式地用来代表输入偏置电流。
Input Offset Voltage（输入偏置电压）：
在经过电阻通路加入偏置电流的情况下，为了使输出指示值为零而在输入测量端之间必须直接加入的电压。
Input Resistance（输入电阻）：
输入阻抗的电阻分量。
Nano-（纳）： 前缀，其意义为十亿分之一。
Nanoelectronics（纳米电子学）：
纳米尺度上的电子学。包括分子电子学和类似于当今半导体器件的纳米尺寸器件。
Nanotechnology（纳米技术）：
制作具有原子或分子尺寸精密度的器件。一般认为最小尺寸小于100纳米的器件为纳米技术产品。纳米（十亿分之一米，即10-9米）是通常最适合描述单个分子的尺寸的单位。
Nanovoltmeter（纳伏表）：
最适合提供纳伏灵敏度的电压表（一般都采用低热电动势的连接器、偏置补偿等）。
Noise（噪声）： 叠加在有用信号上的任何不希望有的信号。
Normal-Mode Rejection Ratio（NMRR）（串模抑制比）：
仪器抑制跨越其输入端的干扰的能力。通常用一定频率下的分贝数来表示，例如交流电源频率下的分贝数。
Normal-Mode Voltage（串模电压）：
在仪器高、低输入端之间所加的电压。 [p]
Offset Current（偏置电流）：
在没有加入信号的情况下电路产生的电流。偏置电流是在电路中存在摩擦电、压电、或者电化学效应的情况下产生的。
Overload Protection（过载保护）：
保护仪器不受其输入端的过高电流或电压影响的电路。
Picoammeter（皮安计）：
最适合精密测量小电流的安培计。一般为反馈安培计。Piezoelectric Effect（压电效应）： 用来说明向某种类型的绝缘体施加应力的时候产生电流的术语。
Precision（精度）：
代表测量中的不确定的程度。常常用在可重复性或者可复制性等场合，但不应当用于准确度的场合。参见 Uncertainty。
Random Error（随机误差）：
受随机误差方式影响的大量测量结果的平均值与真值的偏差。参见Systematic Error。
Range（量程）：
能够测量或者输出的信号数值的连续带。在双极性仪器中，量程包括正值和负值。
Reading（读数）：
代表输入信号特性的显示数字。
Reading Rate（读数速率）：
读数更新的速率。读数速率是读数之间的时间间隔的倒数。
Relative Accuracy（相对准确度）：
测量仪器相对于第二个标准的准确度。参见Absolute Accuracy。
Repeatability（重复性）：
在相同条件下，连续进行的测量之间的一致性。
Reproducibility（复现性）：
按照给定的变化条件，对同一个量所进行的测量之间的一致性。
Resolution（分辨率）：
可以测量（或输出）和显示的输入（或输出）信号的最小的部分。
Response Time（响应时间）：
对测量仪器来说，是指从加入阶跃输入信号到按照额定的准确度指示出其幅度值的时间；对源仪器来说，是指从程控仪器进行改变到在其输出端得到该数值的时间。参见 Settling Time。
Rise Time（上升时间）：
信号从其峰-峰值的一个小的百分比（通常为10%）变到其峰-峰值的一个大的百分比（通常为90%）所需要的时间。参见Fall Time。
使用运算放大器反馈结构把输入电流变换成电压进行测量的灵敏的安培计。
Floating（浮地）：
在大地和感兴趣的仪器或电路之间存在共模电压的电路状态。（电路低端不连到地电位）
Hall Effect（霍尔效应）：
当导体放在磁场中时，测量跨越该导体的横向电压。通过这种测量，可以确定硅中的载流子的类型、浓度和移动性。
High Impedance Terminal（高阻抗端子）：
源阻抗乘以期望的寄生电流（例如：1礎）超过需要的电压测量灵敏度的端子。
Input Bias Current（输入偏置电流）：
由于仪器内部的电流和偏置电压而在仪器输入端流动的电流。
Input Impedance（输入阻抗）：
在输入端测量出的并联的电阻和电容（或者电感），不包括输入偏置或者偏置电流的影响。
Input Offset Current（输入偏置电流）：
为了使输出指示值为零，而在差动仪器的输入测量端加入的两个电流之差（输入电压和偏置电压均为零）。有时非正式地用来代表输入偏置电流。
Input Offset Voltage（输入偏置电压）：
在经过电阻通路加入偏置电流的情况下，为了使输出指示值为零而在输入测量端之间必须直接加入的电压。
Input Resistance（输入电阻）：
输入阻抗的电阻分量。
Nano-（纳）： 前缀，其意义为十亿分之一。
Nanoelectronics（纳米电子学）：
纳米尺度上的电子学。包括分子电子学和类似于当今半导体器件的纳米尺寸器件。
Nanotechnology（纳米技术）：
制作具有原子或分子尺寸精密度的器件。一般认为最小尺寸小于100纳米的器件为纳米技术产品。纳米（十亿分之一米，即10-9米）是通常最适合描述单个分子的尺寸的单位。
Nanovoltmeter（纳伏表）：
最适合提供纳伏灵敏度的电压表（一般都采用低热电动势的连接器、偏置补偿等）。
Noise（噪声）： 叠加在有用信号上的任何不希望有的信号。
Normal-Mode Rejection Ratio（NMRR）（串模抑制比）：
仪器抑制跨越其输入端的干扰的能力。通常用一定频率下的分贝数来表示，例如交流电源频率下的分贝数。
Normal-Mode Voltage（串模电压）：
在仪器高、低输入端之间所加的电压。 [p]
Offset Current（偏置电流）：
在没有加入信号的情况下电路产生的电流。偏置电流是在电路中存在摩擦电、压电、或者电化学效应的情况下产生的。
Overload Protection（过载保护）：
保护仪器不受其输入端的过高电流或电压影响的电路。
Picoammeter（皮安计）：
最适合精密测量小电流的安培计。一般为反馈安培计。Piezoelectric Effect（压电效应）： 用来说明向某种类型的绝缘体施加应力的时候产生电流的术语。
Precision（精度）：
代表测量中的不确定的程度。常常用在可重复性或者可复制性等场合，但不应当用于准确度的场合。参见 Uncertainty。
Random Error（随机误差）：
受随机误差方式影响的大量测量结果的平均值与真值的偏差。参见Systematic Error。
Range（量程）：
能够测量或者输出的信号数值的连续带。在双极性仪器中，量程包括正值和负值。
Reading（读数）：
代表输入信号特性的显示数字。
Reading Rate（读数速率）：
读数更新的速率。读数速率是读数之间的时间间隔的倒数。
Relative Accuracy（相对准确度）：
测量仪器相对于第二个标准的准确度。参见Absolute Accuracy。
Repeatability（重复性）：
在相同条件下，连续进行的测量之间的一致性。
Reproducibility（复现性）：
按照给定的变化条件，对同一个量所进行的测量之间的一致性。
Resolution（分辨率）：
可以测量（或输出）和显示的输入（或输出）信号的最小的部分。
Response Time（响应时间）：
对测量仪器来说，是指从加入阶跃输入信号到按照额定的准确度指示出其幅度值的时间；对源仪器来说，是指从程控仪器进行改变到在其输出端得到该数值的时间。参见 Settling Time。
Rise Time（上升时间）：
信号从其峰-峰值的一个小的百分比（通常为10%）变到其峰-峰值的一个大的百分比（通常为90%）所需要的时间。参见Fall Time。
Sensitivity（灵敏度）：
可以测量或显示的最小的量。
Settling Time（建立时间）：
对测量仪器来说，是指从加入阶跃输入信号到按照额定的准确度指示出其幅度值的时间；对源仪器来说，是指从程控仪器进行改变到在其输出端得到该数值的时间。参见Response Time。
Shielding（屏蔽）：
围绕着被测量电路的金属闭合体或者围绕着导线（同轴电缆或者三同轴电缆）的金属套，用来接收干扰、交互作用和泄漏。屏蔽通常接地或者连到输入低端。
Source-Measure Unit（SMU）（源-测量单元）：
能够输出和测量直流电压和电流的电子仪器。一般的说，SMU具有两种工作模式：电压源、电流测量，或者电流源、电压测量。又称为源-监视单元或者激励-测量单元。
SourceMeter（数字源表）：
数字源表仪器在很多方面类似于源-测量单元，这包括输出和测量电流和电压以及进行扫描的能力。此外，数字源表仪器能够直接以电阻、电压和电流的形式显示测量结果。它是为通用的、高速生产测试应用而设计的。它也可以在中-低电平测量中作为源来使用，或者用于研究工作中。
Source Resistance（源电阻）： 源阻抗的电阻分量。
Switch Card（开关卡）：
具有独立或者绝缘的继电器，来切换每个通道的输入和输出的一类电路卡。
Switching Mainframe（开关主机）：
用来连接源、测量仪器和被测设备的信号的一种开关仪器。这种主机又称为扫描器、多路器、矩阵或者程控开关。
Systematic Error（系统误差）：
受系统误差方式影响的大量测量结果的平均值与真值的偏差。参见Ran dom Error。
Temperature Coefficient（温度系数）：
对读数（或者输出值）随温度的变化而变化的一种度量。表示为每度温度变化时的读数（或者输出值）的百分数加上字数。
Temperature Coefficient of Resistance（电阻温度系数）：
每度温度变化时，材料或器件的电阻变化量，通常表示为ppm/℃。
Thermoelectric EMFs（热电动势）：
在电路中，或者当不同材料的导体结合在一起时，由于温度差而产生的电压。
可以测量或显示的最小的量。
Settling Time（建立时间）：
对测量仪器来说，是指从加入阶跃输入信号到按照额定的准确度指示出其幅度值的时间；对源仪器来说，是指从程控仪器进行改变到在其输出端得到该数值的时间。参见Response Time。
Shielding（屏蔽）：
围绕着被测量电路的金属闭合体或者围绕着导线（同轴电缆或者三同轴电缆）的金属套，用来接收干扰、交互作用和泄漏。屏蔽通常接地或者连到输入低端。
Source-Measure Unit（SMU）（源-测量单元）：
能够输出和测量直流电压和电流的电子仪器。一般的说，SMU具有两种工作模式：电压源、电流测量，或者电流源、电压测量。又称为源-监视单元或者激励-测量单元。
SourceMeter（数字源表）：
数字源表仪器在很多方面类似于源-测量单元，这包括输出和测量电流和电压以及进行扫描的能力。此外，数字源表仪器能够直接以电阻、电压和电流的形式显示测量结果。它是为通用的、高速生产测试应用而设计的。它也可以在中-低电平测量中作为源来使用，或者用于研究工作中。
Source Resistance（源电阻）： 源阻抗的电阻分量。
Switch Card（开关卡）：
具有独立或者绝缘的继电器，来切换每个通道的输入和输出的一类电路卡。
Switching Mainframe（开关主机）：
用来连接源、测量仪器和被测设备的信号的一种开关仪器。这种主机又称为扫描器、多路器、矩阵或者程控开关。
Systematic Error（系统误差）：
受系统误差方式影响的大量测量结果的平均值与真值的偏差。参见Ran dom Error。
Temperature Coefficient（温度系数）：
对读数（或者输出值）随温度的变化而变化的一种度量。表示为每度温度变化时的读数（或者输出值）的百分数加上字数。
Temperature Coefficient of Resistance（电阻温度系数）：
每度温度变化时，材料或器件的电阻变化量，通常表示为ppm/℃。
Thermoelectric EMFs（热电动势）：
在电路中，或者当不同材料的导体结合在一起时，由于温度差而产生的电压。
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