高通射频器件策略：CMOS转向砷化镓

　　全球手机晶片龙头高通功率放大器（PA）等射频（RF）元件策略转向，拟由现行台积电代工的CMOS制程，转为砷化镓制程，宏捷科、稳懋等代工厂有机会受益，对台积电影响则待观察。高通2014年推出自家的射频元件方案“RF360”，是采用半导体CMOS制程的PA，具有低成本的优点，且由台积电以八寸厂制造，再搭配自家手机芯片出货，与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓（GaAs）制程不同。

　　不过，高通日前刚宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在新加坡设立新公司“RF360 Holdings Singapore”，其中TDK旗下从事射频模组业务的子公司EPCOS，会将部分业务分拆出来成立“RF360”，这意味着代表高通的RF元件布局将有改变。高通执行长莫伦科夫（Steve Mollenkopf）回应时表示，与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”（即砷化镓PA）将于2017年生产，这是一个比较合适的时间点，届时会再寻找合适的应用市场。

　　以莫伦科夫说法来看，代表高通旗下RF元件采用的PA制程，将由现行CMOS转向砷化镓，在这个架构下，未来势必还要调整代工厂，由目前的台积电转至稳懋、宏捷科这类的砷化镓代工厂。

　　由于高通计划在2017年推出新的砷化镓PA，市场预期，今年会开始寻找合适代工厂，最快年底就会有样品，明年就能上市。在智能型手机转进第四代行动通讯（4G）时代，使用PA颗数至少七至八颗，比3G手机多出一到两颗，加上这两年4G手机数量呈跳跃式成长，带动一波RF元件动能。

　　相较高通推出自家PA等RF元件，竞争对手联发科则是采取合作方式，在手机公板上认证Skyworks、Avago、RFMD及陆厂Vanchip的元件，避免周边零组件供应出现过于依赖某一家厂商的现象。