深度剖析：双向可控硅基础之过零检测与波形

本文对双向可控硅中的过零检测进行了详尽的介绍，通过图文结合的方式对过零检测的电路及两点电压输出波形分别进行了解释。对于双向可控硅感兴趣或对过零检测有疑问的朋友不妨花上几分钟来阅读本文，相信一定会有意想不到的收获。 在进行交流无触点设计时，人们偏爱使用双向可控硅。这主要是由双向可控硅的特点决定的，双向可控硅不仅控制电路简单，也没有反向耐压额顾虑，因此才能如此适合于交流无触点设计。交流无触点设计在大型强电流的产品中应用较多，因此双向可控硅需要在强电网络中运行，这就使得其对干扰的抵抗性变得尤为重要，为了最低程度的减小干扰，常用过零触发电路来进行双向可控硅电路的触发。 在本文当中，小编将为大家介绍双向可控硅中的过零检测电路。



图1过零检测电路 电路设计如图1所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us。图1中BT为变压器，TPL521-2为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的外部中断0的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。

图2 A、B两点电压输出波形