• 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
首页 > 测试测量 > 技术文章 > 是德发布适合当代半导体功率器件开发的关键参数表征方案

是德发布适合当代半导体功率器件开发的关键参数表征方案

录入:edatop.com    点击:
    是德科技率先发布适合当代半导体功率器件开发的关键参数表征解决方案,提供 Ciss、Coss、Crss、栅极电荷/栅极电阻测量和自动热测试

    2015 年 4 月 22 日,北京——是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布旗下 B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪发布重要增强,成为业界首个支持晶圆上和封装器件所有关键参数表征的解决方案,能够提升当代半导体功率器件开发效率。

    高效可靠的半导体功率器件是迅速发展的功率电子行业的基础,而高效开发器件需要深入表征栅极电荷(Qg)、器件电容(Ciss、Coss 和 Crss)与栅极电阻(Rg)等全新和传统器件特征,以及晶圆上和封装器件特征。低温或高温等实际工作条件下的器件表征同样重要。工程师需要一款满足上述所有功能需求的解决方案。

    增强版 B1505A 可以提供工程师需要的全部晶圆上和封装器件表征功能:自动热测试功能结合热管理设备能够覆盖 -50 ℃ 至 +250 ℃ 的工作温度范围,新的测量功能支持自动高压偏置器件电容和栅极电阻测量。并且,工程师可以借助应用低压和高压设置的新方法测量栅极电荷曲线,从而精确表征 IGBT 模块等超高功率器件。

    全新增强 B1505A 配有灵活的可升级硬件体系结构,能够满足器件或工艺工程师几乎所有的需求。例如, B1505A 体系结构支持多达 5 个高压电源监测单元的配置,可以满足强化 (加强的)可靠性测试要求。

    B1505A 全新增强非常适合器件和工艺工程师、功率器件制造质控(品质控制)工程师和半导体功率器件研究人员,能够帮助他们开发可靠的功率器件,例如 IGBT 和功率 MOSFET,或者新的宽带隙(去掉)功率器件材料,例如金刚石或氮化镓。工程师也可以使用 B1505A 检测进厂器件和分析故障。

    是德科技 Hachioji 半导体测试事业部总经理 Masaki Yamamoto 表示:“可靠性和能效是现代功率器件的核心要求,开发功率器件需要工程师在宽泛的工作条件下深入表征器件,并全面评测器件的栅极电荷、栅极电阻和电容。增强后 B1505A 可以提供丰富的功能,帮助工程师轻松且精确地完成测量任务,为功率器件测试树立新标杆。”
Keysight B1505A 采用 Microsoft Windows 7 操作系统,是一款综合功率器件测量解决方案,低于 pA 至 10 kV/1500 A 的测量范围支持µΩ 级精确导通电阻测量,10 µs 快速脉冲功能可以实现全面的功率器件表征。此外,B1505A 配有可扩展的体系结构、易于使用的软件环境、下一代曲线追踪仪和自动测试与分析功能,能够提供无与伦比的功率器件表征性能和易用性。

    全新增强同样适用于是德科技现有 B1505A 产品,并已于 4 月 1 日起接受订购。B1505A 最终价格取决于所选配置。

点击浏览:矢量网络分析仪、频谱仪、示波器,使用操作培训教程

上一篇:华天电力:地下管线探测仪的操作方法介绍
下一篇:克服多重技术障碍 成就“指尖”上的FTIR光谱仪

微波射频测量操作培训课程详情>>
射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图