处理器外接SDRAM的控制技术

　　现代的处理器(SoC)或DSP都内建有内存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAM……等内存的控制接口。但不同处理器内部的内存控制方式都不尽相同，而且它们的控制程序大部分都位于开机程序内，皆属于汇编语言，所以常令人不知所云。

　　SDRAM的规格

　　现代的处理器并不需要额外的外部器件，就可以直接将外部内存连接至处理器的脚位上。但是，在选择SDRAM时，还是必须考虑下列几项因素：

　　● 工作电压

　　● 最大的工作频率

　　● 最大的记忆容量

　　● I/O大小和排数(bank number)

　　● “列地址闪控(column address strobe;CAS)”的延迟(latency)

　　● 刷新(refresh)的速率

　　● 分页大小(page size)

　　● 初始化的顺序(sequency)：可程序化的顺序是MRS=>REF(refresh)或REF=>MRS。

　　上述参数都列在SDRAM规格中，它们必须能符合处理器内部的内存控制器之要求，惟有如此，才不需要额外的外部器件，否则就必须另外设计逻辑电路来衔接。在图1中，SDRAM-B无法符合ADSP-TS201S处理器的内存控制器的要求。因为SDRAM-B的“突发资料组之宽度(burst length)”是1，而不是“全分页”;而且SDRAM-B的分页大小是2048字组(word或16bits)，但是ADSP-TS201S处理器最多只能支持1024字组。所以，相较之下，应该SDRAM-A才对。

　　缓存器的设定

　　与其它控制器一样，处理器内部的内存控制器也需要透过缓存器(register)去设定它的组态与功能。根据图1的规格，可以设定ADSP-TS201S处理器的“SDRAM控制缓存器(SDRCON)”。SDRCON缓存器的初始值是0，表示SDRAM是在禁能(disable)状态。图2是SDRCON缓存器的每个位的名称。

　　1. 位0(SDRAM ENABLE)：设为1时，表示有SDRAM存在。

　　2. 位1～2(CAS LATENCY;CL)：表示当读取(read)命令发出之后，至数据出现时之间的时间。它与写入作业无关。此值可以在SDRAM规格表中查到，如图3所示。假设外部总线速率是100MHz，则CL应设为2。有些SDRAM的时序参数(例如：CL、tRAS、tRP…..等)是根据不同的传输速率和速率等级(speed grade)而定的。

　　3.位3(PIPE DEPTH)：当有数个SDRAM并排使用时，可能需要外部缓冲存储器(buffer)，这时，此位必须设为1。不过，如果SDRAM脚位上的电容值远低于30pF，则此位可以设为0。

　　4.位4～5(PAGE BOUNDARY)：分页边界，是用来定义分页的大小，单位是字组。此值与“列的地址(column addresses)”数目相等。图4是SDRAM-A的规格，从中可以查出：列地址的总数目是256(A0~A7)，因此，分页大小是256。

　　5. 位7～8(REFRESH RATE)：这个值能决定处理器内部的刷新计数器(refresh counter)之值，好让处理器的速率能与外部SDRAM所需的刷新速率相配合。于图4中，刷新计数值是4K;而且在SDRAM规格中，会经常见到：64ms，4096 cycle refresh或者4096 cycles/64ms或15.6μs/row。刷新速率的计算公式是：cycles=SOCCLK×tREF/Rows，其中，SOCCLK是处理器的CPU速率，tREF是SDRAM刷新间隔(refresh period)，Rows是行地址的位数目。假设SOCCLK等于250MHz，由上述公式可以求得刷新速率等于3900周期(cycles)。因此，实际的刷新速率必须等于或小于3900周期，但是ADSP-TS201S处理器的内存控制器最多只支持3700周期，所以此值要设定为3700。

　　6. 位9～10(PRC TO RAS DELAY)：此参数决定SDRAM的Precharge到RAS之间的延迟时间，也就是tRP，如图5所示。图6是SDRAM的时序规格范例，其中，传输率属-6等级者，它的最小tRP值是18ns，若使用100MHz速率，则至少需要1.8周期(100MHz×18ns=1.8)。因此，tRP应该设为2周期。

　　7. 位11～13(RAS TO PRC DELAY)：此参数决定RAS到Precharge之间的延迟时间，也就是tRAS。如图6所示，最小的tRAS值是42ns，若使用100MHz速率，则至少需要4.2周期。因此，tRAS应该设为5周期。

　　8. 位14(INIT SEQUENCE)：它决定SDRAM于开机时的初始化程序。若此程序是：在开机后100μs内，至少必须执行一个COMMAND INHIBIT或NOP命令，之后，执行PRECHARGE命令，此时，SDRAM是处于闲置(idle)状态。然后，执行两个AUTO-REFRESH，再设定“模式缓存器(mode register)”。最后，才能执行读写作业。这表示此SDRAM的初始化时间至少需要：PRE+2×Autorefresh+MRS(mode register set)。