SOI测试芯片结果在IEEE大会上得以详述

ARM 公司（ 伦敦证交所： ARM ；纳斯达克： ARMH ）近日在于加州福斯特市举行的 IEEE SOI 大会上发布了一款绝缘硅（ silicon-on-insulator ， SOI ） 45 纳米测试芯片的测试结果。结果表明， 相 较 于采用 传统的体效应工艺（ bulk process ）进行芯片制造，该测试芯片显示出最高可达 40% 的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于 ARM1176 处理器，能够在 SOI 和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时， SOI 是一项取代传统体效应工艺的可行技术。  

ARM 和 Soitec 联合制造了这款测试芯片，在采用了一个著名的、行业标准的内核的实际芯片实施中显示出功耗节省的可能性。其目的是对用于同一产品的 45 纳米 SOI 高性能技术和体效应 CMOS 45 纳米低功耗技术作出比较。  

ARM 公司物理 IP 部门副总裁 Tom Lantzsch 表示： “ 作为物理 IP 和处理器技术领域的领导者， ARM 一直以来都积极倡导 SOI 可能会给我们客户的产品带来的益处。通过对体效应和 SOI 的比较投入资源，我们得以提供有用的数据来验证之前的推测论断，证明 SOI 的确能够在提供性能的同时实现功耗节省。 ” 

这一芯片测试结果显示，与以同样速度运行的体效应 CMOS 低功耗技术相比， 45 纳米高性能 SOI 技术能够提供高达 40% 的功耗节省以及 7% 的电路面积减小。在某些特定的测试应用中，该芯片测试结果还显示，当以比体效应技术高出 20% 的运行频率工作时，该芯片能够实现 30% 的整体功耗节省。  

IBM 公司半导体产品和服务部门副总裁 Mark Ireland 表示： “ 这一由 ARM 和 Soitec 共同完成的评测标尺清楚地显示了我们的第六代 45 纳米 SOI 技术能够带来的性能功耗比方面的益处。该技术目前已可向 ASIC 和代工厂客户提供。采用一个行业标准的 ARM 处理器来验证 SOI 的功耗优势，表明了数字消费电子产品领域采用 SOI 的可能性。 ” 

SOI Industry Consortium 执行董事 Horacio Mendez 表示： “ 作为 SOI Consortium 的成员，这两家公司共同为 SOI 技术可能为采用电池供电的应用所带来的功耗效率提升提供了一个实证，这对于整个行业而言是一项重要的成就。许多公司在针对其技术做制造决定时，都能够从这一数据获益。 ” 

该实施采用了 ARM 和 IBM 的标准 SOI 库和领先的 EDA 工具。对于采用基于 IBM 45 纳米 SOI 技术的 ARM 和 IBM 库的设计，也可获得 IP 生态系统和制造解决方案的支持。  

关于 ARM 

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