高阻器件低频噪声测试技术与应用研究--低频噪声测试技术理论(二)

由以上分析可以看到1/f噪声与器件两端的直流电流的平方成正比，并与频率成反比。因而随着频率的升高，1/f噪声幅值势必下降到比热噪声功率谱密度还低，因此在高频段无法观察到1/f噪声，因为其已被热噪声覆盖。通常我们将1/f噪声功率谱密度下降到与热噪声相等时的频率称为转折频率。转折频率会随着器件的不同而不同，因此为了确保观察到器件转折频率以上的1/f噪声，必须保证测试系统能测到足够低的频率。

2.1.2.4 g-r噪声

g-r噪声是一些半导体材料和JFET的主要噪声源。双极晶体管中的猝发噪声和随机电报噪声也属于g-r噪声。

在半导体材料中存在发射或俘获载流子的各种杂质中心，这些杂质中心会随机对载流子发射或俘获，由此便产生了载流子的随机涨落，这种涨落在宏观上的体现就是g-r噪声，又叫产生复合噪声。g-r噪声主要来源于禁带中间附近的深能级产生-复合中心和陷阱中心。

g-r噪声的表达式如下：

ΔN²表示占据产生-复合中心能级的载流子数目的涨落均方值。τ是特征时间常数。通常将g-r噪声的功率谱密度简化为下式：

g-r噪声的典型功率谱密度曲线如图2.4所示

g-r噪声在时域上的也具有特殊的形式，很好辨认，呈现为二态噪声，如图2.5所示：在实际情况中，被测器件可能同时具有多种类型的噪声，因而通常人们采用（2-1）式中的模型来表示和研究器件的低频噪声。