如何测量全球最快的功率开关

这些测得的上升时间约比同等硅MOSFET快3倍，RDS（on）约为1/3.通常情况下，最终结果的效率要高3%，并且热负荷降低。

设计限制

通过这些测量结果，您可以看出这些器件的开关速度极快，但我们仍旧不知道器件的最快速度是多少，也许永远也不会知道。鉴于我们刚测量过这些速度，怎么会这样？有一些关键的限制因素是我们无法评估的，至少目前还无法评估。其中一个就是电源回路电感和较小的GaN晶体管电容之间的谐振产生的振铃，这在所有上升时间测量中都显而易见。电容值是固定的，而电感至少在一定程度上（如果不是非常明显）是由于输入电容器和互连PCB背板的等效串联电感（ESL）导致的。

驱动器通过PCB走线连接起来，驱动器本身的边沿速度约为1ns，这比GaN PET开关速度要慢得多。随着GaN技术朝材料极限发展（仍有几个数量级），且驱动器性能增强、寄生效应减小和集成度提升成为现实，速度/性能将持续改进。同时，GaN FET输出电容将继续减少，从而开关速度将进一步得到提升。

这一切意味着什么

若使开关速度达到硬开关应用开关周期的1%~2%，您可以看到，开关速度可接近50MHz.现在，限制条件是栅极驱动器的寄生元件，其不能在这样的速度下运行。我认为，使用谐振开关拓扑结构时，DC/DC转换器的开关速度可达到250MHz以上。尽管材料的本质限制无法和GaN器件的性能匹敌，但硅器件仍将持续得以改善。