前进中的晶圆级3D集成

　　3D集成是指将多层平面器件堆叠起来，并通过穿透硅的Z方向通孔实现互连的系统级集成方案。 

　　从概念上来讲，3D集成能够在减少芯片面积的同时缓解互连延迟问题。如果用垂直方向的短互连线来代替二维结构中大量的长互连线，就能够使逻辑电路的性能大大提高。例如，通过将关键路径上的逻辑门放置在多个有源层上，就能够将它们非常紧密地排布起来。也可以将电压和/或性能要求不同的电路放置在不同的层上。 

　　3D晶圆堆叠基于具有特定功能的全晶圆产品（即嵌入式处理器、DSP、SRAM、DRAM、嵌入式无线网络等），并将这些晶圆或分立的已知良好芯片（known good die，KGD）垂直地互连起来，制作成一个功能器件。3D结构能够集成许多别的方法无法兼容的技术，这样就可以显著地提升器件的性能、功能性和波形因数。这种3D堆叠能够令人信服地集成天线、传感器、电源管理和电源存储器件等技术。3D集成缩短了芯片间的信号路径，允许系统更快地运行，从而提高系统性能和降低功耗。互连线长度是电源应用中要考虑  的重要因素，保持足够短的互连线长度非常有利于降低功耗。当采用这种3D堆叠芯片方案时，最需要关心的是散热问题，不过由于通孔的使用缩短了总的互连线长度，这实际上在一定程度上减小了热的产生。 

　　在最近的电子元器件技术会议（ECTC）上有许多介绍3D晶圆级集成进展的报告。在会议的小组讨论中，用于晶圆到晶圆（W2W）和芯片到晶圆（D2W）互连的最新3D前沿进展被总结出来。很多与会者都注意到，早先的W2W键合概念正被D2W键合所逐步取代，因为D2W具有以下优势： 

　　■ 只封装KGD 
　　■ 排列对准的容忍度更大 
　　■ 具有将尺寸差别很大的芯片互连起来的能力 
　　■ 具有为“异类集成”而将尺寸差别很大的芯片互连起来的能力 

　　根据IC设计是否针对3D互连，目前已有3种可行的选择方案来形成通孔（图1）。  



　　针对3D的IC设计：使用FEOL通孔 

　　如果芯片是针对3D应用设计的，那么就可以使用任何目前实际用于（嵌入式）DRAM深沟槽电容技术的设备来制作前段制程（FEOL）通孔。目前用于3D互连的通孔直径一般为2-4mm，而且还可以更小一些。这是初创公司Tezzaron为他们的“超接触”技术所选择的路线。既然通孔与IC互连是同时制作在晶圆上的，那么就没有必要额外留出一些不进行片上互连布线的区域。在完成FEOL通孔的制作之后将晶圆减薄，直到通孔（一般是钨，也可能是铜）从晶圆背面暴露出来，然后布线并制作背面焊接垫来将晶圆互连到其它的芯片/晶圆上。 

　　针对3D的IC设计：使用BEOL通孔 

　　如果选择后段制程（BEOL）来制作通孔，那么在IC的设计和制造过程中必须留出额外的区域。这样，3D 晶圆代工厂/封装厂就可以通过刻蚀这些保留区域而得到通孔。共有两种方法：先刻蚀得到通孔，再装配到操作晶圆上，然后减薄（先通孔方法，via-first）；或先将晶圆键合到另一个芯片/晶圆，然后再刻蚀得到通孔（后通孔方法，via-last）。初创公司ZyCube是BEOL先通孔技术的倡导者，IBM则支持BEOL后通孔技术。 

　　不针对3D的IC设计：使用BEOL通孔 

　　如果芯片/晶圆已经存在而无法重新设计，那么就需要在外围焊接垫和划线迹道之间的区域重新分布通孔；这种技术是超高级电子技术联盟（ASET）开发的。任何具备Bosch刻蚀能力的封装或MEMS代工厂都能完成这种制程。人们也许会考虑将绝缘的通孔直接连通到外围焊接垫。然而，最近出现了一种在焊接垫下放置支撑柱的方法，可以更好地防止易碎的低k层间介质（ILD）在引线键合过程中破裂，从而排除了前面那种通孔直连焊接垫的选择。 

　　在同一个会议上，来自Research Triangle Institute（RTI）的Christopher Bower介绍了DARPA VISA（垂直互连传感器阵列）项目的最新进展。VISA是一种使用BEOL后通孔方法的D2W 3D集成技术，正由RTI和DRS Infrared Technologies公司合作开发。 

　　在典型的电荷耦合器件（CCD）传感器中，通过芯片间的互连将成像像素单元与A/D转换器、DSP、图像处理器和输出IC等组件水平地连接起来（图2）。不过这种互连方法限制了取样速率和分辨率。而在3D VISA设计中，这些芯片经由穿透晶圆的通孔垂直地连接起来（图2）。 



　　VISA制造流程从预留出通孔区域的IC晶圆开始，这些晶圆是在标准的CMOS工厂中制造的。接着在第一片晶圆（IC1晶圆）上淀积金属再分布层并形成图形，然后将第二片晶圆（IC2晶圆）面朝下地安放到操作晶圆上，并用背部打磨和化学机械抛光（CMP）等方法来将其减薄。当减薄后的IC2晶圆仍然在操作晶圆上时就被切割开来得到芯片，而独立的KGD则被键合到IC1晶圆上的已知良好的点。 

　　然后依次进行以下步骤：光刻定义出垂直互连的刻蚀掩模，并刻蚀得到穿透IC2层的、高深宽比的4mm通孔；淀积一层保角的绝缘体，并选择性地移除通孔底部的绝缘体以清洁金属焊接垫；淀积金属来填充垂直互连。最后，顶层金属被图形化和钝化，为连接后续的IC层做好准备。 



　　如图3所示是由上述方法制造的堆叠的截面SEM照片，这个堆叠由两层IC构成。这幅照片的拍摄是在垂直互连完成之后，而在顶层金属的图形化和钝化之前。顶部IC层（IC2）的厚度约30mm，包含约10mm的SiO2 IC ILD和20mm的硅，其背面有一个薄的钝化层。通过使用高精度的、带有分光棱镜的芯片键合机和聚合物粘接剂，将IC2层键合到下面的IC1层上。两个IC层之间的后键合（post-bond）对准精度通常>2mm。通过高深宽比（约8:1）的、直径为4mm的铜垂直互连线，将分立的IC层互连起来。而通过保角的介质层将这些垂直互连与衬底硅绝缘。如图4所示的红外热图像取自一个垂直互连的256 × 256像素的VISA结构。 

本文作者：Philip Garrou ，IEEE院士、IEEE CPMT协会主席，RTI International项目顾问。