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ISO/IEC14443
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识别卡无触点集成电路卡——邻近卡
第一部分：物理特性
1 范围
ISO/IEC14443的这一部分规定了邻近卡（PICC）的物理特性。它应用于在耦合设备附近操作的ID－1型识别卡。
ISO/IEC14443的这一部分应与正在制定的ISO/IEC14443后续部分关联使用。
2 标准引用
下列标准中所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用ISO/IEC14443这一部分的各方应探讨使用下列最新版本标准的可能性。ISO和IEC的成员修订当前有效国际标准的纪录。
ISO/IEC7810：1995，识别卡——物理特性。
ISO/IEC10373，识别卡——测试方法。
3 定义，缩略语和符号
3.1定义
下列定义适用于ISO/IEC14443的这一部分：
3.1.1集成电路Integratedcircuit(s)（IC）：
用于执行处理和/或存储功能的电子器件。
3.1.2无触点的Contactless：
完成与卡的信号交换和给卡提供能量，而无需使用微电元件（即：从外部接口设备到卡上的集成电路之间没有直接路径）。
3.1.3无触点集成电路卡Contactlessintegratedcircuit(s)card：
一种ID－1型卡类型（如ISO/IEC7810中所规定），在它上面有集成电路，并且与集成电路的通信是用无触点的方式完成的。
3.1.4邻近卡Proximitycard（PICC）
一种ID－1型卡，在它上面有集成电路和耦合工具，并且与集成电路的通信是通过与邻近耦合设备电感耦合完成的。
3.1.5邻近耦合设备Proximitycouplingdevice（PCD）
用电感耦合给邻近卡提供能量并控制与邻近卡的数据交换的读/写设备。
4 物理特性
4.1一般特性
邻近卡应有根据ISO/IEC7810中规定的ID－1型卡的规格的物理特性。
4.2尺寸
邻近卡的额定尺寸应是ISO/IEC7810中规定的ID－1型卡的尺寸。
4.3附加特性
4.3.1紫外线
ISO/IEC14443的这一部分排除了大于海平面普通日光中的紫外线的紫外线水平的防护需求，超过周围紫外线水平的防护应是卡制造商的责任。
4.3.2X－射线
卡的任何一面曝光0.1Gy剂量，相当于100KV的中等能量X—射线（每年的累积剂量），应不引起卡的失效。
注1：这相当于人暴露其中能接受的最大值的年累积剂量的近似两倍。
4.3.3动态弯曲应力
按ISO/IEC10373中描述的测试方法（短边和长边的最大偏移为hwA=20mm，hwB=10mm）测试后，邻近卡应能继续正常工作。
4.3.4动态扭曲应力
按ISO/IEC10373中描述的测试方法（旋转角度为15°）测试后，邻近卡应能继续正常工作。
4.3.5可变磁场
a）在下表给出的平均值的磁场内暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
f—频率（MHz）
磁场的最高值被限制在平均值的30倍。
b）在12A/m、13.56MHz的磁场中暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
频率范围（MHz）平均磁场强度（A/m）平均时间（minutes）
0.3——3.01.636
3.0——304.98/f6
30——3000.1636
频率范围（MHz）平均电场强度（V/m）平均时间（minutes）
0.3——3.00.6146
3.0——301842/f6
30——30061.46
4.3.6可变电场
在下表给出的平均值的电场内暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
f—频率（MHz）
电场的最高值被限制在平均值的30倍。
4.3.7静态电流
按ISO/IEC10373（IEC1000－4－2：1995）中描述的测试方法（测试电压为6KV）测试后，邻近卡应能继续正常工作。
4.3.8静态磁场
在640KA/m的静态磁场内暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
警告：磁条上的数据内容将被这样的磁场擦去。
4.3.9工作温度
在0℃到50℃的环境温度范围内，邻近卡应能正常工作。
附录A（提示的附录）
标准兼容性和表面质量
A.1标准的兼容性
本标准并不排斥现存其它的标准中涉及PICC的部分，这里的限制只是为了突出PICC。
A.2用于印制的表面质量
如果对印制生产出的PICC有特殊的要求，就应注意保证供印制的区域的表面质量能够适应印制的技术或采用的打印机。
附录B（提示的附录）
其它ISO/IEC卡标准参考书目
ISO/IEC7811－1：1995，识别卡——记录技术——第一部分：凸印。
ISO/IEC7811－2：1995，识别卡——记录技术——第二部分：磁条。
ISO/IEC7811－3：1995，识别卡——记录技术——第三部分：ID－1型卡上凸印字符的位置。
ISO/IEC7811－4：1995，识别卡——记录技术——第四部分：ID－1型卡上只读磁道——磁道1和2的位置。
ISO/IEC7811－5：1995，识别卡——记录技术——第五部分：ID－1型卡上读写磁道——磁道3的位置。
ISO/IEC7811－6：1995，识别卡——记录技术——第六部分：磁条——高矫顽磁性。
ISO/IEC7812－1：1993，识别卡——发卡人的识别——第一部分：编码体系。
ISO/IEC7812－2：1993，识别卡——发卡人的识别——第二部分：应用和注册过程。
ISO/IEC7813：1995，识别卡——金融交易卡。
ISO/IEC7816－1：1998，识别卡——接触式集成电路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC7816－2：1998，识别卡——接触式集成电路卡——第二部分：接触的尺寸和位置。
ISO/IEC7816－3：1997，识别卡——接触式集成电路卡——第三部分：电信号和传送协议。
ISO/IEC10536－1：1992，识别卡——无触点集成电路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC10536－2：1995，识别卡——无触点集成电路卡——第二部分：耦合区域的尺寸和位置。
第二部分：频谱功率和信号接口
1 范围
ISO/IEC14443的这一部分规定了需要供给能量的场的性质与特征，以及邻近耦合设备（PCDs）和邻近卡（PICCs）之间的双向通信。
ISO/IEC14443的这一部分应与ISO/IEC14443的其他部分关联使用。
ISO/IEC14443的这一部分并不规定产生耦合场的方法，也没有规定如何符合因国家而异的电磁场辐射和人体辐射安全的条例。
2 标准引用
下列标准中所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用ISO/IEC14443这一部分的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。ISO和IEC的成员修订当前有效国际标准的纪录。
ISO/IEC14443－1：识别卡——无触点集成电路卡——邻近卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC10373，识别卡——测试方法。
3 术语和定义
ISO/IEC14443－1中给出的定义和下列定义适用于本国际标准：
3.1位持续时间Bitduration
一个确定的逻辑状态的持续时间，在这段时间的最后，一个新的状态位将开始。
3.2二进制相移键控Binaryphaseshiftkeying
相移键控，此处相移180°，从而导致两个可能的相位状态。
3.3调制系数Modulationindex
定义为(a－b)/(a＋b)，其中a，b分别是信号幅度的最大，最小值。
3.4不归零NRZ－L
在位持续时间内，一个逻辑状态的位编码方式，它以在通信媒介中的两个确定的物理状态之一来表示。
3.5副载波Subcarrier
以载波频率fc调制频率fs而产生的RF信号。
4 缩略语和符号
ASK移幅键控
BPSK二进制移相键控
NRZ－L不归零，（L为电平）
PCD邻近耦合设备
PICC邻近卡
RF射频
fc工作场的频率（载波频率）
fs副载波调制频率
Tb位持续时间
5 邻近卡的初始化对话
邻近耦合设备和邻近卡之间的初始化对话通过下列连续操作进行：
—PCD的射频工作场激活PICC
—邻近卡静待来自邻近耦合设备的命令
—邻近耦合设备命令的传送
—邻近卡响应的传送
这些操作使用下面段落中规定的射频功率和信号接口。
6 功率传输
邻近耦合设备产生一个被调制用来通信的射频场，它能通过耦合给邻近卡传送功率。
6.1.1频率
射频工作场频率（fc）是13.56MHz7kHz。
6.1.2工作场
最小未调制工作场的值是1.5A/mrms，以Hmin表示。
最大未调制工作场的值是7.5A/mrms，以Hmax表示。
邻近卡应持续工作在Hmin和Hmax之间。
从制造商特定的角度说（工作容限），邻近耦合设备应产生一个大于Hmin，但不超过Hmax的场。
另外，从制造商特定的角度说（工作容限），邻近耦合设备应能将功率提供给任意的邻近卡。
在任何可能的邻近卡的状态下，邻近耦合设备不能产生高于在ISO/IEC14443－1中规定的交变电磁场。
邻近耦合设备工作场的测试方法在国际标准ISO/IEC10373中规定。
第一部分：物理特性
1 范围
ISO/IEC14443的这一部分规定了邻近卡（PICC）的物理特性。它应用于在耦合设备附近操作的ID－1型识别卡。
ISO/IEC14443的这一部分应与正在制定的ISO/IEC14443后续部分关联使用。
2 标准引用
下列标准中所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用ISO/IEC14443这一部分的各方应探讨使用下列最新版本标准的可能性。ISO和IEC的成员修订当前有效国际标准的纪录。
ISO/IEC7810：1995，识别卡——物理特性。
ISO/IEC10373，识别卡——测试方法。
3 定义，缩略语和符号
3.1定义
下列定义适用于ISO/IEC14443的这一部分：
3.1.1集成电路Integratedcircuit(s)（IC）：
用于执行处理和/或存储功能的电子器件。
3.1.2无触点的Contactless：
完成与卡的信号交换和给卡提供能量，而无需使用微电元件（即：从外部接口设备到卡上的集成电路之间没有直接路径）。
3.1.3无触点集成电路卡Contactlessintegratedcircuit(s)card：
一种ID－1型卡类型（如ISO/IEC7810中所规定），在它上面有集成电路，并且与集成电路的通信是用无触点的方式完成的。
3.1.4邻近卡Proximitycard（PICC）
一种ID－1型卡，在它上面有集成电路和耦合工具，并且与集成电路的通信是通过与邻近耦合设备电感耦合完成的。
3.1.5邻近耦合设备Proximitycouplingdevice（PCD）
用电感耦合给邻近卡提供能量并控制与邻近卡的数据交换的读/写设备。
4 物理特性
4.1一般特性
邻近卡应有根据ISO/IEC7810中规定的ID－1型卡的规格的物理特性。
4.2尺寸
邻近卡的额定尺寸应是ISO/IEC7810中规定的ID－1型卡的尺寸。
4.3附加特性
4.3.1紫外线
ISO/IEC14443的这一部分排除了大于海平面普通日光中的紫外线的紫外线水平的防护需求，超过周围紫外线水平的防护应是卡制造商的责任。
4.3.2X－射线
卡的任何一面曝光0.1Gy剂量，相当于100KV的中等能量X—射线（每年的累积剂量），应不引起卡的失效。
注1：这相当于人暴露其中能接受的最大值的年累积剂量的近似两倍。
4.3.3动态弯曲应力
按ISO/IEC10373中描述的测试方法（短边和长边的最大偏移为hwA=20mm，hwB=10mm）测试后，邻近卡应能继续正常工作。
4.3.4动态扭曲应力
按ISO/IEC10373中描述的测试方法（旋转角度为15°）测试后，邻近卡应能继续正常工作。
4.3.5可变磁场
a）在下表给出的平均值的磁场内暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
f—频率（MHz）
磁场的最高值被限制在平均值的30倍。
b）在12A/m、13.56MHz的磁场中暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
频率范围（MHz）平均磁场强度（A/m）平均时间（minutes）
0.3——3.01.636
3.0——304.98/f6
30——3000.1636
频率范围（MHz）平均电场强度（V/m）平均时间（minutes）
0.3——3.00.6146
3.0——301842/f6
30——30061.46
4.3.6可变电场
在下表给出的平均值的电场内暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
f—频率（MHz）
电场的最高值被限制在平均值的30倍。
4.3.7静态电流
按ISO/IEC10373（IEC1000－4－2：1995）中描述的测试方法（测试电压为6KV）测试后，邻近卡应能继续正常工作。
4.3.8静态磁场
在640KA/m的静态磁场内暴露后，邻近卡应能继续正常工作。
警告：磁条上的数据内容将被这样的磁场擦去。
4.3.9工作温度
在0℃到50℃的环境温度范围内，邻近卡应能正常工作。
附录A（提示的附录）
标准兼容性和表面质量
A.1标准的兼容性
本标准并不排斥现存其它的标准中涉及PICC的部分，这里的限制只是为了突出PICC。
A.2用于印制的表面质量
如果对印制生产出的PICC有特殊的要求，就应注意保证供印制的区域的表面质量能够适应印制的技术或采用的打印机。
附录B（提示的附录）
其它ISO/IEC卡标准参考书目
ISO/IEC7811－1：1995，识别卡——记录技术——第一部分：凸印。
ISO/IEC7811－2：1995，识别卡——记录技术——第二部分：磁条。
ISO/IEC7811－3：1995，识别卡——记录技术——第三部分：ID－1型卡上凸印字符的位置。
ISO/IEC7811－4：1995，识别卡——记录技术——第四部分：ID－1型卡上只读磁道——磁道1和2的位置。
ISO/IEC7811－5：1995，识别卡——记录技术——第五部分：ID－1型卡上读写磁道——磁道3的位置。
ISO/IEC7811－6：1995，识别卡——记录技术——第六部分：磁条——高矫顽磁性。
ISO/IEC7812－1：1993，识别卡——发卡人的识别——第一部分：编码体系。
ISO/IEC7812－2：1993，识别卡——发卡人的识别——第二部分：应用和注册过程。
ISO/IEC7813：1995，识别卡——金融交易卡。
ISO/IEC7816－1：1998，识别卡——接触式集成电路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC7816－2：1998，识别卡——接触式集成电路卡——第二部分：接触的尺寸和位置。
ISO/IEC7816－3：1997，识别卡——接触式集成电路卡——第三部分：电信号和传送协议。
ISO/IEC10536－1：1992，识别卡——无触点集成电路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC10536－2：1995，识别卡——无触点集成电路卡——第二部分：耦合区域的尺寸和位置。
第二部分：频谱功率和信号接口
1 范围
ISO/IEC14443的这一部分规定了需要供给能量的场的性质与特征，以及邻近耦合设备（PCDs）和邻近卡（PICCs）之间的双向通信。
ISO/IEC14443的这一部分应与ISO/IEC14443的其他部分关联使用。
ISO/IEC14443的这一部分并不规定产生耦合场的方法，也没有规定如何符合因国家而异的电磁场辐射和人体辐射安全的条例。
2 标准引用
下列标准中所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用ISO/IEC14443这一部分的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。ISO和IEC的成员修订当前有效国际标准的纪录。
ISO/IEC14443－1：识别卡——无触点集成电路卡——邻近卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC10373，识别卡——测试方法。
3 术语和定义
ISO/IEC14443－1中给出的定义和下列定义适用于本国际标准：
3.1位持续时间Bitduration
一个确定的逻辑状态的持续时间，在这段时间的最后，一个新的状态位将开始。
3.2二进制相移键控Binaryphaseshiftkeying
相移键控，此处相移180°，从而导致两个可能的相位状态。
3.3调制系数Modulationindex
定义为(a－b)/(a＋b)，其中a，b分别是信号幅度的最大，最小值。
3.4不归零NRZ－L
在位持续时间内，一个逻辑状态的位编码方式，它以在通信媒介中的两个确定的物理状态之一来表示。
3.5副载波Subcarrier
以载波频率fc调制频率fs而产生的RF信号。
4 缩略语和符号
ASK移幅键控
BPSK二进制移相键控
NRZ－L不归零，（L为电平）
PCD邻近耦合设备
PICC邻近卡
RF射频
fc工作场的频率（载波频率）
fs副载波调制频率
Tb位持续时间
5 邻近卡的初始化对话
邻近耦合设备和邻近卡之间的初始化对话通过下列连续操作进行：
—PCD的射频工作场激活PICC
—邻近卡静待来自邻近耦合设备的命令
—邻近耦合设备命令的传送
—邻近卡响应的传送
这些操作使用下面段落中规定的射频功率和信号接口。
6 功率传输
邻近耦合设备产生一个被调制用来通信的射频场，它能通过耦合给邻近卡传送功率。
6.1.1频率
射频工作场频率（fc）是13.56MHz7kHz。
6.1.2工作场
最小未调制工作场的值是1.5A/mrms，以Hmin表示。
最大未调制工作场的值是7.5A/mrms，以Hmax表示。
邻近卡应持续工作在Hmin和Hmax之间。
从制造商特定的角度说（工作容限），邻近耦合设备应产生一个大于Hmin，但不超过Hmax的场。
另外，从制造商特定的角度说（工作容限），邻近耦合设备应能将功率提供给任意的邻近卡。
在任何可能的邻近卡的状态下，邻近耦合设备不能产生高于在ISO/IEC14443－1中规定的交变电磁场。
邻近耦合设备工作场的测试方法在国际标准ISO/IEC10373中规定。
