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NXP有关卫星LNB和新的SiGeC产品应用介绍精彩问答
答:在无线领域, Wimax, 3G/4G手机等应用是目前比较热门的话题。
问:SiGeC是一种新的芯片制成么?有什么优点?
答:SiGeC 是 SiGe掺碳工艺,具有极高的ft和极低噪声等优点
问:请问如何提高灵敏度?
答:通常影响和制约灵敏度的因素不在于增益而在于噪声系数。可选择高增益、低噪声的RF前端电路,注意滤波器设计和选取,匹配,还要注意PCB布线。
问:BFU725F可以应用在机顶盒中吗?应用范围有那些?
答:NXP的BFG425w和BFG540广泛用于机顶盒中,作为LNA. BF1108用于loop though电路。
问:请介绍恩智浦LNB整体方案中BFU725F产品的作用和优势
答:截至频率可以做到一百GHz以上, 可以很好的工作在10GHz频率以下。2)与硅工艺兼容,易与CMOS 集成 3)相对GaAs,有成本优势 4)从性能来说,SiGe 射频器件噪声低,开关速度快,温度特性好,输出功率大,效率高。
问:SiGeC 比SiGe有何优势
答:Si和Ge的晶格失配出现的应力,使SiGe层的厚度和Ge含量受到限制,从而使管子的高频特性受到限制。利用掺碳的补偿作用降低SiGe层的应力,大大改善器件的电特性和工艺的容限。通过Ge含量和C含量的调节,提高注入效率,从而降低通态压降。实现良好的反向快恢复和软恢复特性以及低灵敏温度特性。
问:请介绍NXP 在GPS应用中的LNA方案
答:LNA在GPS中有两种应用,一种是在外接天线中,如汽车的外接天线。 另外一种是内置式,主要用在PND。两种应用对LNA的要求有些不同。外接式有求低成本,对体积要求不高。 内置式的要求高性能,体积小。在外接天线中NXP的方案有BFG425,BFU725 和BGA2001。在内置方案中,NXP的方案有BFU725, MMIC BGU7003,
问:请问SiGeC有什么优点?
答:主要是在工艺上面有区别,SiGeC在工艺的过程中会出现Si 和Ge晶格失配 的现象,在SiGeC做放大器的时候,它的厚度很难做到很薄,这样就使它的高频特性受到限制,通过先进 的工艺,可以降低SiGeC的应力,大大改善器件的电测性和工业容性,从而提高SiGeC的高频特性。
问:恩智浦卫星LNB和新的SiGeC产品应用前景怎么样?
答:NXP在LNB中有WB晶体管,MMIC,还有一些新的SiGeC制成的产品,恩智浦提供的用于LNB的高精度产品,具有很高的性价比和性能优势,所以说前景非常的好.
问:TFF1004HN与别的GaAs(砷化镓)元件和介质稳频振荡器(DRO)的分立式解决方案相比有什么特别之处
答:砷化镓和DRO是分离元器件的方案。TFF1004HN是专为LNB应用设计的高集成芯片。它集成了放大器,混频器和锁相环。由于是高集成度方案,相应地减少了外围器件数量和调试点数,因此可以大大的节省大约25%的生产成本,和大约40%的PCB面积。同时,由于恩智浦提供的TFF1004芯片100% 是通过工厂测试,故在客户生产中可以减少重复的调试工作,相应的提高产能。对于设计人员,高集成的TFF1004HN芯片可以简化设计,快速投放市场。内置的锁相环电路,降低了频率漂移,提高了LO稳定性,同时也不再需要DRO腔同时由于可以减少重复的调试工作,对设计人员高集成度的芯片可以使产品快速的投放市场。同时,这颗芯片只需要很少的外围芯片,需要一颗晶振和简单的阻容器件和电感就可以了,这样在生产过程中也可以降低管理成本。因此,从许多方面来说,我们这颗芯片都是具有很大的优势的。
问:请问SiGeC 和SiGe工艺有什么区别
答:SIGEC和SIGE主要是想解决在工艺生产过程中,硅和锗的失配的问题,在传统的工艺中,锗硅的失配导致应力问题,从而使SiGe不能做的很薄,度越时间不能做到非产的小。从而影响它的高频特性,采用了锗硅碳之后,较薄的SiGe层能很好的减小度越时间,同时也提高了机器的注入效率,能够实现快速的恢复特性,同时采用锗硅碳还有一个很好的温度特性,所以相对来说,锗硅碳是一个比较先进的工艺。
问:NXP的LNB产品能否用于中星9号的“村村通”工程中,面向广大的农村市场时NXP的产品的价格是否具有优势?
答:对于中星9号的“村村通”目前NXP有一套完整的系列产品和解决方案,我们有一系列高集成度的偏置芯片和TFF1004芯片,同时对于分离器件的方式,我们有一些宽频放大器,像可以应用在振荡器还有第一级第二级的中心放大,还有一些相应的用在第三级的LN上的器件,具体的详细资料,可以看我们的RF手册,如果还需要具体的技术支持.
问:LNB是什么意思
答:LNB是英文单词Low noise block 的缩写,翻译成汉语的意思就是低噪声降频模块,这个在卫星接收机的应用里面是指一个功能模块,它的功能就是把卫星信号的高频信号像C波段的信号降到L波段,以供后面信号的处理。
问:请问VSAT里的LNB跟一般的LNB有什么不同?
答:这个是按系统的需求来定的,一般来说,在接收窄频的讯号时,通常需要的频率稳定度会比较高一点,如果用PLL LNB是比较常用的选项,一般DRO相对PLL LNB频率稳定度会比较低一点,相位噪声也会比较高,这个时候真的要看系统的需求来决定。
问:请问你们的LNA跟传统的GaAs工艺的LNA有什么优点?
答:锗硅的工艺和的砷化镓工艺都算是比较传统的工艺,但是砷化镓的工作频率是非常的高,在卫星等军事方面的应用非常广,在过去的应用中,由于都是在1G赫兹这样的频段,这样传统的硅工艺就可以解决相关的问题,但是现在随着通信产品技术的提高,不断的受到局限,通信产品频率不断向上移,现在工作到2G赫兹,5.8G赫兹,甚至更高,而砷化镓的成本不能够满足大规模的需求,这个时候锗硅就处在一个非常有利的地位,因为它的工艺是和普通的硅工艺相兼容的,这样在价格上面就会有很大的优势。锗硅工艺主要优点:可以和硅工艺相匹配,温度特性好。
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