TD-LTE双流波束赋形技术

双流波束赋形的解决方案

双流波束赋形在实现上可以利用把阵列天线分成两组的方式来实现，可以采用把这两组之间的距离拉大或两组采用不同的极化方向来降低两组天线之间的相关性，每组天线赋予一个数据流。

在现有的网络规划中，双极化天线得到了广泛的应用，对于TD-SCDMA网络，4+4双极化天线是一种典型的8天线形态，其天线形态适合使用双流波束赋形技术。

图5: 利用分组天线实现双流波束赋形。

双流波束赋形TM8技术优势

2011年9月，创毅视讯正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺WarpDrive 5000芯片。该款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模，采用40纳米工艺，兼容3GPP LTE标准(Release-9)，采用超低功耗设计，支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换，支持CAT4速率等级，下行高达150Mbps。该款产品是全球首款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的芯片，并与包括爱立信、诺西、大唐在内的多家主流系统厂商通过了工信部室内外测试验证。

图6是创毅视讯WarpDrive5000芯片TM8双流波束赋形外场测试获得的实测曲线，天线配置为是8发送天线和2接收天线，单用户rank自适应传输，MCS自适应调度。

图6: 外场单小区单用户测试场景，时隙配比2:2。