LTE LNA显著改善4G智能手机接收灵敏度

为了配合4G LTE市场的兴起，英飞凌所推出的一系列LTE LNA产品，其中最有代表性的是BGA7x1N6系列，产品的大致规格包括：

a) BGA7x1N6使用业界领先的Flipchip封装技术，仅1.1x0.7mm2；

b) BGA7x1N6的噪声系数低至0.6dB，明显抑制系统噪声；

c) BGA7x1N6的Gain=13dB，IIP3高达+3dBm，采用SiGe工艺；

d) BGA7x1N6系统应用电路覆盖0.7~2.7GHz所有LTE频段，设计高效完备。

在BGA7x1N6的基础上，英飞凌还推出了BGM7xxxxL12系列，有多种频段组合方式供客户选择，同样基于高上大的Flipchip封装技术，BGM7xxxxL12系列的尺寸仅为1.9 x 1.1 mm2，所以当客户有更加严格的PCB版面要求时，图4中的BGA7x1N6系列的应用实例也可以用1颗BGM7xxxxL12来代替，节省的PCB版面也是非常可观的。

图4：FDD系统中LTE LNA系列应用实例

英飞凌BGA7x1N6在2014年初已量产，目前市场反响良好。此外，作为LTE LNA的领导者，英飞凌在中国国内配备有完善的专业技术支持团队，帮助客户从系统级去解决LTE LNA在具体应用中所遇到的问题和困难。另外，英飞凌的BGA7x1N6系列LTE LNA采用SiGe工艺，并以稳定的产能和卓越的质量控制体系为使用其产品的手机制造商注入了更多的市场竞争力。

综上所述，通过LTE LNA可为LTE智能终端(手机)保驾护航，消费者将真正感受到LTE网络前所未有的极速体验。在LTE智能手机的设计中除了LTE LNA能极大地改善用户体验外，还有其它一些新颖的技术也值得关注，如在使用金属外壳天线时需要用到天线交叉技术，而越来越多的LTE 频段的覆盖也需要用到天线调谐技术，英飞凌除了在LTE LNA方面的创新开发之外，同样在射频开关特别是交叉开关和天线调谐专用开关方面也得到了广大客户的认可。

作者：郝盛，陈浩

英飞凌科技(中国)有限公司电源管理及多元化市场事业部射频与保护器件高级应用工程师