TriQuint推出最新GaN解决方案实现功率和效率

 2011年11月1日

TriQuint 推出最新18W 氮化镓 (GaN) 封装 HEMT 射频功率晶体管（T1G6001528-Q3 ），实现更高的输出功率和出色的效率 —6GHz下的效率高达60%。这款产品是商业无线通信、航空电子、雷达、测试设备以及其他高功率、宽范围频率覆盖和高效率的应用。TriQuint公司中国区总经理熊挺说：“当今，几乎所有的高性能应用不仅需要出色的射频功率器件，还需要关键的性能参数，T1G6001528-Q3证明了TriQuint 氮化镓技术完全可以满足这些挑战。”联系产品营销部门索取样片。