锗化硅（SiGe）的高频特性及应用

　　锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频器、低噪声放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于SiGe技术具有高频特性，现已广泛应用在电子测试产品中，如泰克（Tektronix）公司的TDS7000系列高频示波器，带宽高达15GHz，那么什么是SiGe技术呢？

　　SiGe技术具有很多极具吸引力的优点。作为硅材料中的"小兄弟，SiGe既拥有硅工艺的集成度和成本优势，又具有第3类到第5类半导体（GaAs）和磷化铟（lnP）速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感，就可以采用SiGe半导体技术集成高质量无源部件。此外，通过控制锗掺杂还可设计器件随温度进行变化。

　　实验证明，SiGe器件的工作频率可高达350GHz，而普通的硅芯片的工作频率只能达到几个GHz，而且其电池速度为普通硅半导体的2到4倍。SiGe器件还在噪声、功效、散热性能方面优于第3至第5类双极晶体管，硅基片的热导率是砷化镓（GaAs）的3倍。

　　Ge现已成为越来越被广泛应用的器件，其高频特性、击穿电压和集成能力可以满足多方面需要，是非常有前途的技术，能够满足一些可以预见的未来集成的需要。