毫米波器件发展现状及石墨烯毫米波器件优势
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毫米波与微波相比具有以下特点:频带极宽、波束窄、方向性好,有极高的分辨率;有较宽的多普勒带宽,可提高测量精度。它与激光和红外波段相比,具有穿透烟雾、尘埃的能力,基本上可全天候工作。由于有以上的特点,毫米波技术的应用范围极广,在雷达、通信、精密制导等军事武器上发挥着越来越重要的作用。因此,近十几年毫米波技术的发展十分迅速,已进入了蓬勃发展的新时代。
发展毫米波器件一直是发展毫米波技术的先导,研制宽带、低噪声、大功率、高效率、高可靠、长寿命、多功能的毫米波器件是该技术的关键。
目前大多数GaN HEMT研究针对的频段为S波段和X波段,在S波段主要用于移动通信基站,在X波段主要有电子对抗、相控阵雷达等军事应用。越来越多的GaN HEMT研究将工作频率扩展到Ka波段(26-40GHz)甚至毫米波段,目标是取代行波管放大器应用于雷达以及卫星和宽带无线通讯。工作频率的提高要求器件的栅长不断缩小,对于Ka以上波段的GaN HEMT栅长一般小于300nm,甚至要达到100nm左右。栅长的缩短一方面增加了工艺难度,更为重要的是短沟道效应的抑制对器件结构的设计提出了新的挑战。
文章有点长 关注毫米波的请查看这里:[url=http://www.mwrf.net/news/marketwatch/2013/12919.html]http://www.mwrf.net/news/marketwatch/2013/12919.html[/url]
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目前大多数GaN HEMT研究针对的频段为S波段和X波段,在S波段主要用于移动通信基站,在X波段主要有电子对抗、相控阵雷达等军事应用。越来越多的GaN HEMT研究将工作频率扩展到Ka波段(26-40GHz)甚至毫米波段,目标是取代行波管放大器应用于雷达以及卫星和宽带无线通讯。工作频率的提高要求器件的栅长不断缩小,对于Ka以上波段的GaN HEMT栅长一般小于300nm,甚至要达到100nm左右。栅长的缩短一方面增加了工艺难度,更为重要的是短沟道效应的抑制对器件结构的设计提出了新的挑战。
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网友回复:
这也没说出石墨烯有什么好
实际上也没什么好(现阶段)
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