RFMD推出 RFHA1025扩展了针对脉冲雷达应用的GaN匹配功率晶体管系列

加拿大、蒙特利尔，2012 年 6 月 18 日—— 日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号： RFMD）宣布推出 RFHA1025，这是一款高效的 280 瓦脉冲式氮化镓 (GaN) 射频匹配功率晶体管。 RFHA1025 具有比与之相竞争的硅功率技术更出色的性能。

                

RFMD 的 RFHA1025 补充了最近推出的 380 瓦 RF3928B，而RF3928B则是 RFMD 匹配功率晶体管系列中输出功率最高的 S 频带器件。RFMD 正扩展在多个频带中的基于 GaN 的功率放大器晶体管产品，从而提高其在雷达市场中的领先地位。

 

 

RFMD 的 GaN 匹配功率晶体管可在新的及现有雷达架构中扩展覆盖范围，减小尺寸和重量，以及提高整体耐用性。 RFHA1025 在宽泛的频率范围 (0.96-1.2GHz) 内运行，并且可提供 280 瓦脉冲功率，超过 14dB 的高增益以及超过 55% 的高峰值效率。此外，RFHA1025 还结合了内部匹配，以便简化并缩小设计人员需要设计的电路。 RFHA1025 采用密闭陶瓷法兰封装，其充分利用了 RFMD 先进的散热和功耗技术，可提供卓越的热稳定性和传导性。 RFMD 的 RF393x 非匹配功率晶体管 (UPT) 可作为 RFHA1025 的驱动器。

 

 

RFMD 功率宽频业务部总经理 Jeff Shealy 说：“RFMD 非常高兴扩展了我们基于 GaN 的产品系列，该系列在支持多样化的终端市场方面提供了业界领先的功率性能。RFMD 的 GaN 产品系列印证了我们旨在实现技术和产品领先地位的承诺，我们期待在近期推出更多具有出色功率密度、高功率效率和高可靠性的 GaN 器件。”

 

在加拿大、蒙特利尔的Palais des congress 举行的 IEEE 国际微波研讨会（一直持续到 6 月 22 日）上，RFMD 正在 1210 号展台展示其 GaN 功率产品系列。

 

 

样品及量产批量现已可通过 RFMD 的网上商店或当地 RFMD 销售渠道提供。

 

RF Micro Devices, Inc. 公司（Nasdaq 股市代号：RFMD）是高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者。RFMD 产品可帮助实现全球移动性，提供加强的连接性，以及支持移动设备、无线基础设施、无线局域网（WLAN 或 WiFi）、有线电视 (CATV)/宽带、智能能源/高级计量基础设施 (AMI) 以及航空和国防市场中的高级功能。RFMD 半导体技术多样化产品组合以及 RF 系统专业技术享有业界知名度，是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商的首选供应商。

 

RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001、ISO 14001 及 ISO/TS 16949认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站。