飞思卡尔推出HF到L波段的宽带射频功率LDMOS FET

为了满足市场对射频功率器件增强耐用性和在广泛的频率范围进行宽带运行的需求，飞思卡尔半导体公司推出了两款功能丰富的器件，旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。

新产品包括25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H，在整个频率覆盖范围内能提供完整的CW额定功率。设计这两款产品的目的在于简化放大器设计的复杂性、节约成本，同时提高系统的可靠性。

新推出的器件是用于类似应用的GaN解决方案的极好替代产品，能够处理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情况，从而以极低的器件成本实现卓越的线性。宽带 LDMOS FET的设计目的是为了在极其恶劣的条件下也能无缝运行， 这时产品的耐用性和可用性至关重要 。目标应用包括HF-UHF发射器和收发器、电视发射器、空白区域数据收发器、航空航天/国防系统、测试设备和雷达系统。

新产品采用飞思卡尔低热阻封装，目的是最大限度降低内部升温，提高长期可靠性，同时减少热管理问题。新产品还集成了能在众多运行环境中增强电路稳定性的内部网络，从而简化了外部电路。为了保证最佳耐用性，飞思卡尔在远超出正常运行条件下来测试，即在超出额定工作电压20％，两倍额定射频输入功率及阻抗不匹配值 VSWR=65:1的条件下进行评估。

应用的多样化

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的宽带频率覆盖范围允许设计师使用单个放大器覆盖多个频段，例如1.8 - 54 MHz、30 - 512 MHz，从而减少了材料、缩小了放大器尺寸，减轻了重量，降低了切换损耗，并缩减了日常冷却开支。新产品结合宽带能力、耐用性和频率范围广等优势，且成本低于同等的GaN（氮化镓）器件。

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H规格包括：

MRFE6VS25N：25 W CW， 频段为1.8-30 MHz时增益超过26 dB，512 MHz时增益超过25 dB ，效率为50％-73％，在VSWR> 65:1的环境中可完全达到额定性能。

MRFE6VP100H： 100 W CW，频段为512 MHz时增益超过26 dB ， 30-512MHz时增益超过19 dB，效率为40％-71％，在VSWR> 65:1的环境中可完全达到额定性能。

MRFE6VS25N晶体管采用飞思卡尔 TO-270-2包覆成型塑料封装， MRFE6VP100H/HS晶体管采用飞思卡尔 NI-780-4和NI-780S-4空气腔封装。

供货情况

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H现已开始生产。参考设计和其它支持工具一并提供。欲获取样品和价格信息，请联系飞思卡尔半导体公司在当地的飞思卡尔销售办事处或授权经销商。