RMFD 发布线性氮化镓 (GaN) 功率晶体管系列产品

德国、慕尼黑，2012 年 11 月 13 日 -- 日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布，RFMD 已生产并推出两款高线性氮化镓 (GaN) 射频非匹配功率晶体管 (UPT) —— RFHA3942 (35W) 和 RFHA3944 (65W)，两者均具备比同类氮化镓 (GaN) 晶体管更出色的线性性能。

 

RFMD之前发布了针对连续波 (CW) 和脉冲峰值功率应用的 RF393X 系列非匹配功率晶体管，而RFHA3942 和 RFHA3944 是其新一代的产品。该新系列线性氮化镓 (GaN) 分立式放大器经过优化，适用于要求具备线性回退运行或减少杂散影响的宽带应用。RFMD 计划在未来一年内发布 10W 和 95W 的线性氮化镓 (GaN) 器件，从而继续巩固其技术领先地位，并大幅度扩展其氮化镓非匹配功率晶体管 (GaN UPT) 产品系列，由此为 RFMD 的客户提供更多选择。

 

RMFD 的高线性氮化镓非匹配功率晶体管 (GaN UPT) 专门针对新型和现有的通信架构，由于这些架构要求改进宽频线性性能以支持高峰均比调制波形。RFHA3942 和 RFHA3944 具有极宽的可调频率范围（直流至 4GHz），并分别提供 35W 和 65W 的连续波 (CW) 峰值功率。此外，两者均可提供 15dB 的高增益和超过 55% 的高峰值效率。通过将 IS95 9.8dB PAR 信号调至 2.1GHz，RFHA3942 在输出功率为 34dBm 时可实现 -43dBc 的邻信道功率 (ACP)，RFHA3944 则在输出功率为 37dBm 时可实现 -54dBc 的邻信道功率 (ACP)。RFHA3942 和 RFHA3944 两款产品都在封装的输入和输出中具备高终端阻抗，在单个放大器中实现了宽带增益和功率性能方面的优势。RFHA3942 和 RFHA3944 采用两端带引线的陶瓷法兰封装，其通过应用 RFMD 先进的散热和功耗技术提供了卓越的热稳定性和传导性。

 

RFMD 功率宽频业务部副总裁兼总经理 Jeff Shealy 说：“RFMD 非常高兴能够扩展我们基于氮化镓的产品系列，从而为广泛的终端市场提供了行业领先的线性功率性能。RFMD 的氮化镓产品系列明确地印证了我们一直以来追求技术和产品领导地位的承诺，我们希望推出更多具有出色的功率密度、高效率、高可靠性和“绿色”能耗优势的氮化镓器件。”

 

RFMD 将于 11 月 13 日至 16 日于德国慕尼黑的 2012 电子产品展（Electronica 2012）上展出多款业界领先的射频组件产品，其展位为 A4.134。目前，产品样品和量产批量可通过 RFMD 的网上商店或当地 RFMD 销售渠道获得。您可登录 RFMD 官方网站或拨打 RFMD 联系电话 336-664-1233 索取数据手册。

 

RF Micro Devices, Inc. 公司（Nasdaq 股市代号：RFMD）是高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者。RFMD 产品可帮助实现全球移动性，提供加强的连接性，以及支持移动设备、无线基础设施、无线局域网（WLAN 或 WiFi）、有线电视 (CATV)/宽带、智能能源/高级计量基础设施 (AMI) 以及航空和国防市场中的高级功能。RFMD 半导体技术多样化产品组合以及 RF 系统专业技术享有业界知名度，是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商的首选供应商。