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TriQuint推出具卓越增益的GaN晶体管
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中国上海－2012年12月18 日－技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓(GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供30-37W (CW) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。
TriQuint新的氮化镓功率晶体管包括28V的T1G6003028-FS，其工作频率为直流至6 GHz，提供30W的输出功率，在3.5 GHz和6 GHz频率时的效率分别为55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法兰封装的T1G4003532-FL是用于S波段及类似应用的理想选择。它们在直流至3.5 GHz工作频率下提供37W (CW) 输出功率。上述两种32V器件均在3.5GHz和6 GHz分别提供大于16dB和10dB的增益；其附加功率效率(PAE)在5GHz和6GHz分别为60%和49.6%。
所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比(VSWR) 失配而不损害功能，同时为在高漏偏压条件下工作而优化，从而降低系统成本和散热管理成本。所有器件均可出口至大多数国家；详情请与TriQuint联系。
技术规格– 新的TriQuint 氮化镓晶体管：
如需样品和评估板请联系产品营销部。访问TriQuint网站来接洽所在地区的销售代表。
关于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT）是提供世界领先水平的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系；TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识，TriQuint生产基于砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、声表面波(SAW) 和体声波(BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂，在哥斯达黎加拥有生产中心，在北美地区和德国拥有设计中心。
