• 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
首页 > 微波/射频 > 微波射频器件设计 > Microsemi推出S波段RF功率晶体管

Microsemi推出S波段RF功率晶体管

录入:edatop.com    点击:

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

在2.7 至2.9 GHz频段上,2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能,通过单一器件在这个频段上提供最大功率,主要特性包括:

标准脉冲间歇格式: 100µs, 10 % DF

出色的输出功率: 500W

高功率增益: >11.5 dB min

漏极偏压−Vdd: +65V

低热阻: 0.2℃/W

使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括:

具有简化阻抗匹配的单端设计,替代需要额外合成的较低功率器件

最高峰值功率和功率增益,可减少系统功率级数与末级合成

单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率,通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率

65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求

极其稳健的性能提升了系统良率,而且

放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%

如何成为一名优秀的射频工程师,敬请关注: 射频工程师养成培训

上一篇:DAC和ADC为无线射频通信加速
下一篇:S参数含义

射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图