诺格研发砷化镓（GaAs）E波段MMIC

据中国国防科技信息网报道，美国诺格公司研发出新的砷化镓（GaAs）E波段单片微波集成电路（MMIC）高功率放大器APH667和APH668，工作频率分别为81～86GHz和71～76GHz。

诺格公司在2004年成为第一家提供E波段半导体器件产品的公司。诺格宇航系统微电子产品和服务部门经理Frank Kropschot称，这些新产品是诺格持续推进GaAs技术发展的证明。
Frank说“客户通常将E波段的几个MMIC产品组合在一起，以取得更高输出功率。APH667和APH668将显著减少实现这些目标所需的器件数目、简化产品结构和提升性能。”

产品描述如下：
APH667：0.1mm GaAs高电子迁移率晶体管（HEMT）微波单片集成电路（MMIC）功率放大器，工作频率为81～86GHz，线性增益为17dB，典型饱和输出功率为25.5dBm（0.35W）。

APH668：0.1mm GaAs HEMT MMIC功率放大器芯片，工作频率为71～76GHz，线性增益为19dB，典型饱和输出功率为28dBm（0.63W）。
APH667和APH668将在2013年第三季度实现预量产，在2013年第四季度实现量产。