瞄准RF宽带通信应用，美高森美新较大功率电压MOSFET器件

美高森美公司宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V) VRF2944 和VRF3933器件经设计在2-60 megahertz (MHz)的工业、科学和医疗(ISM)频率范围运作，目标应用包括需要大功率和高增益而不影响可靠性、稳定性或互调失真的商业和国防RF功率和宽带通信。

与包括SD2933竞争器件相比，业界领先VRF2944器件在50V供电电压下提供400W或提高33%的输出功率。美高森美公司的较大功率器件允许客户将现有系统的功率增加33%，或减少其RF功率系统的每瓦费用。此外，通过在MOSFET器件上集成一个栅极电阻来提升寄生阻抗，以保持60MHz的最大工作频率。VRF2944器件与美高森美的前代产品VRF2933相似，能够在最高65V供电电压下运作，单一VRF2944器件可以提供675W输出功率。

VRF3933器件能够在最高100V供电电压下运作，并且提供300W输出功率，较高电压MOFET器件还具有较高的输出阻抗，可以更便利地匹配50Ω负载。例如，四个VRF3933器件两两并联，而且这两个并联对器件采用推挽式，能够通过4:1变压器，使用83V供电电压向50Ω负载发送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF产品系列的主要特性包括：

●高于大多数竞争器件的电压实现较高的输出功率：Po与V2成比例
●氮钝化芯片具有高可靠性
●金涂敷和金线粘接获得更高的可靠性
●通过美高森美的应用工程技术团队获得设计支持