氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究

日前，由中科院微电子所牵头，中科院半导体所、中科院物理所、中国电科13所、西安电子科技大学、北京大学联合承担，集中了国内GaN研究领域的优势力量参与的重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”通过了国家自然科学基金委员会信息科学部组织专家组的结题验收。

验收会上，项目首席科学家叶甜春研究员做了项目总体汇报，刘新宇研究员、蔡树军研究员、王晓亮研究员分别做了三个课题汇报。

报告指出，项目围绕GaN基毫米波功率器件研制中涉及的核心科学和关键技术问题，在GaN基毫米波器件制备和材料生长中的关键科学问题、GaN基功率器件可靠性关键科学问题、GaN基毫米波功率器件与材料的新结构三个方面进行了深入和系统研究。微电子所承担毫米波课题方面的研究任务，与合作单位紧密配合，突破了毫米波GaN功率器件关键工艺技术，建立了完整的GaN毫米波器件和电路工艺流程，实现了fT达到135GHz、fmax达到215GHz器件，Ka波段输出功率密度6.65W/mm，达到了项目的预期目标。

基金委专家组成员一致认为，该项目全面完成了研究计划内容，项目研究组织有力，实施措施得当，在人才培养、学术论文、专利申请方面成果丰硕，总体评价为优。

该项目经过四年的不懈努力，取得了一大批创新性的工作，在GaN 毫米波材料、GaN毫米波器件和电路、新型GaN功率器件、可靠性机理等方面取得了重要进展，在GaN毫米波材料、器件物理、器件与电路、可靠性等方面凝练和集成一批重大成果，全面提升我国GaN毫米波器件和电路的国际影响力，有力地支撑了我国重大科技项目的实施。