EM仿真结果带入到ADS中发现有些问题啊
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现在设计RF CMOS 的power cell, 使用Sonnet仿真传输线后,将S参数结果存成touchstone (SNP)文件,然后利用ADS中的SNP将该文件导入,发现问题如下:改变Vgs偏置,laodline似乎不受调制(和理想情况下的laodline形状也不太一样),检查了一下DC,发现Id的DC电流改变了很多,理想情况下是40多mA,但是使用EM仿真结果连接后,发现DC变到了500多mA,谁知道为什么呢?谢谢
EM的结果得包括DC点吧,干吗不用ADS Mom呢?
对,我觉得就是DC点有问题,是不是说是用Sonnet等一般仿真软件,没有包括DC点呢?还是说需要在仿真中注意把DC点包括进去,那么该怎么做呢?ADS的MoM仿真是如何考虑DC点呢?谢谢
那么如果不包括DC点的话,是不是在做有源器件的仿真的时候,这些与DC有关的仿真都会出现错误结果呢?
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