为什么电容到了高频会变成电感呢？

寄生参数引起的，

寄生参数在高频影响明显，比如电容可以等效L,C,R串联，在高频下,L的影响不可忽略。

  说寄生参数是指测量时候引入得，还是电容本身得？比如我制作一个常用得MIM电容，
如果集成在电路里不加测量和测量出来的效果会不一样？3x

当然不是测量引入的，电容本身物理特性就具有的。测量s参数要de-embedding 测量夹具或者probe引入的影响。

电容本身的
chip里面的mim电容寄生电感效应还是比较小的

基本上不会有的，至少在几十G的频率上，但是Q可能会下降的很厉害，频率高的VCO里面，L的Q>>C的Q

  3x

   我其实是要做芯片，想把偏置用的bias-T( 其实就是个电容）集成在芯片里面，工艺也
兼容。文章上看NTT器件都到了500G了，但是问微所做MMIC的，MIM电容一般都是～10G左右
差别怎么哪个大:(

什么频率阿？其实低于100GHz的CMOS设计资料都很多了已经，当然肯定很麻烦，需要实验积累.

电容等效电路：
          ----寄生电感-------电容-----------
高频时电容短路，只剩下电感

频率很高的话，用集总电容不合适。电容尺寸接近波长时候得考虑distributed参数

chip怎么装配呢...
微主装,so

  物理特性是不是 ：   对贴片电容，需要引线，引线本身就是电感；
                     对CPW终端MIM短路，寄生电感和CPW直接终端短路等效的电感一样？   

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