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LNA设计,请指点

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用CMOS设计LNA,结果莫名其妙,不知下一步该怎么做才好,请大家指点迷津!
LNA调试现状
电路拓扑结构:采用单端共源共栅结构
电路中的电感采用理想电感,bias采用理想电压源,共栅级mos与共源级MOS参数相同。
选择共源级mos的宽度以保证mos的Cgs+Cgd+Cgb与电感ls、lg在要求频率共振
仿真结果:pss仿真,电路在直流情况下具有很大增益,在要求频率增益为负
          s11在低频时(非直流)教大,在理想频率下为负
          s21 s12均为很大的负数
          s22在理想频段为较大的负数(貌似只有这一点还算跟理想比较接近)
         在理想频率下做瞬态仿真,结果输出电压摆幅达到2倍Vdd水平,怀疑发生震荡
多谢!!!

 

看看K因子不就知道了,或者看看频谱。

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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