镜像抑制混频器的损耗

两个普通的混频器，90度移相器、再加上相应的功分器，在ADS仿真中构建成一个镜像抑制混频器，请问经过这样构建后，镜像抑制混频器的变频损耗是不是比单个混频器的变频损耗要高3dB呢？ 

 

我觉得应该不是。
每个混频器的输出是比单个要小3dB，因为前面的分路
两个混频器的输出还要相加呢，正好抵消前面的分路
所以，我觉得应该跟单个混频器的损耗是一样的

 

其中要用到两次功分 一次合成，我觉着应该是差3dB

 

哪里有两次功分啊，
是输入信号和本振分别功分吧
然而，本振的功率对输出功率影响不大的
我依然坚持原来的观点

 

对rf来说，就一次工分一次合成。
当然LO肯定要一分二去混频，这个对变频顺好没有影响。
不止到你注意到没有，景象抑制混品器的LO比普通的要高一点点。
还有，LO的电平对IF因乡不大，当然要达到最低电平才行

 

对这个问题我做了一下实际仿真，结果是这样的，如果采用ADS中的模型元件mix，经过谐波仿真，用两个混频单元构建出的镜像混频器的变频损耗比单个的混频器要大3dB。
但是 如果采用实际的混频单元，进行仿真，就会发现镜像抑制混频器和单个混频单元的变频损耗是大致一样的。
请问这是什么问题？

 

对这个问题我做了一下实际仿真，结果是这样的，如果采用ADS中的模型元件mix，经过谐波仿真，用两个混频单元构建出的镜像混频器的变频损耗比单个的混频器要大3dB。
但是 如果采用实际的混频单元，进行仿真，就会发现镜像抑制混频器和单个混频单元的变频损耗是大致一样的。
请问这是什么问题？

 

对这个问题我做了一下实际仿真，结果是这样的，如果采用ADS中的模型元件mix，经过谐波仿真，用两个混频单元构建出的镜像混频器的变频损耗比单个的混频器要大3dB。
但是 如果采用实际的混频单元，进行仿真，就会发现镜像抑制混频器和单个混频单元的变频损耗是大致一样的。
请问这是什么问题？

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