一个混频器问题

    请教大家一个问题：我用混频模块、功分器、移相器构建了一个镜频抑制混频器。（高本振注入）如下图。按照理论分析，中频输出端同相加强，在抑制端反相（相差180度）抵消，从而实现混频和镜像抑制。其中三个移相器均设为移相90度。
     问题是，在ADS仿真过程中，当使用理想的混频模块时，上述没有问题。当其中的混频模块采用一个具体设计的底层电路代替时，问题出现了：如下图所示：（曲线图中的Ph3应为Ph1），也就是当对ph1这个相位参数作扫描时（Ph2、ph3皆为90度），可以发现：
当本振移相器移相70度时，中频信号在中频输出端的功率最大；
当本振移相器移相110度时，中频信号在镜像抑制端输出功率最小；
请问这是怎么回事？不应该都是90处出现最值么？
谢谢大家 

 

移相90，是为了干净的分离上边带和下边带
不是为了使输出功率最大
如果移相70度，出来的东西不是纯的上边带或下边带
不过，你检查一下，从本振到两个混频器用的导线
是不是一样长？
如果不一样长，导线里面产生了多余的相移，

 

采用90度是为了抵消景象，其他不明白

 

1、您是说移相90是为了分离外来镜像频率混频产生的中频和输入信号频率混频后出现的中频干扰吧。我这里用的是ADS仿真 还没有涉及到连线长短问题 。
2、是否中频信号完全同相时候相加 功率或者信号电平最大？在镜像吸收端正好反相的时候信号电平最小？

 

大家没有人清楚这个问题么？

 

你做的是多少G的？

 

ADS，我没用过
看你的电路图，
有个地方不懂，为什么混频出来要分两路再移相相加

 

【 在 galaxyone (galaxyone) 的大作中提到: 】
:     请教大家一个问题：我用混频模块、功分器、移相器构建了一个镜频抑制混频器。（高本振注入）如下图。按照理论分析，中频输出端同相加强，在抑制端反相（相差180度）抵消，从而实现混频和镜像抑制。其中三个移相器均设为移相90度。
:      问题是，在ADS仿真过程中，当使用理想的混频模块时，上述没有问题。当其中的混频模块采用一个具体设计的底层电路代替时，问题出现了：如下图所示：（曲线图中的Ph3应为Ph1），也就是当对ph1这个相位参数作扫描时（Ph2、ph3皆为90度），可以发现：
: 当本振移相器移相70度时，中频信号在中频输出端的功率最大；
: ...................

 

射频15G  高本振15.028G 

 

镜像抑制混频器的目的就是为了抑制外来镜像频率的干扰。如图配置后，本振相对于射频和镜像频率就分别为高本振和低本振注入。再经过移相相加，就会产生由射频和镜像频率混频产生的两种中频信号，分别在两个不同的输出端口同相相加或者反相抵消，从而达到镜像抑制作用

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