冷静对待GaN工艺技术，无线基础设施应用须谨慎

      ABI研究公司一位研究人员表示，对于那些通过氮化镓(GaN)工艺技术来开发并生产设备的厂商来说，无线基础设施领域所需的RF功率半导体可能并不是他们最好的机会。

      除了一些军事应用和微波通信，GaN主要用于移动无线基础设施和WiMAX。但是ABI Research公司董事Lance Wilson却表示，这个对价格极度敏感的领域，可能并不适合GaN。

     Wilson表示：“与传统放大器电路里的Si LDMOS相比，GaN虽然是新技术，设备成本却是其最大的致命伤。”虽然GaN的价格可能会慢慢下降，并最终克服这一问题，但是却永远无法与Si LDMOS的价格相抗衡，因为它从本质上就是比Si LDMOS要贵。

     Wilson指出：“尽管GaN可能会实现超级性能，但这也不能为之增添多少砝码。在移动无线基础设施领域，GaN和Si LDMOS在价格和性能上始终都是势均力敌。GaN可能在今后几年会在移动基础设施所需的RF功率放大器的市场上攻下一些地盘，但绝不可能只手遮天。”而且，在GaN市场上凑热闹的人太多了，将来至少会有一半的人知难而退，或者忍痛割爱。

      但是，Wilson也强调说，GaN前景依然让人看好。在4 GHz以上的频率，Si LDMOS的性能无法触及，因此GaN将几乎统治所有高功率市场。

     他说，Eudyna Devices和东芝就非常聪明地将其GaN产品的目标对准4 GHz以上的微波市场，这将给其带来相当大的收益。