agilent的ATF系列mesfet的ADS design model

想在pcb 上面用discrete transistor 和传输线做一个class e power amplifier,工作频率 2 G Hz. 想在ADS里面先仿真，结果发现好多vendor最多提供discrete transistor 的小信号s parameter,提供design model（包含package parasitic capacitor , inductor的）的非常少。 freescale提供给ADS, AWR用的design model,可惜它的MESFET都是给base station用的，需要的supply voltage太大。然后就看上了agilent的 discrete GaAs Field Effect Transistors 的 ATF系列. 下载了它的design model 的文件(http://www.agilent.com/spg//RF_Design/RFMicrowaveDesignandAnalysisTools.html)，可是里面的文件类型都看不懂，就是在一个netlist.log里面觉得应该是包含了mesfet和package的model的netlist.可是看不太出来它是用的ads的那一种GaAs model, ads 的手册（http://eesof.tm.agilent.com/docs/adsdoc2004A/ccnld/index.html）里面提供的十多种GaAs FET model对照着看了也对不上号。
那个搞手指导指导它是 用的TOM, 还是Statz还是什么别的model啊。
主要现在手上暂时没有ADS,但是有AWR的microwave office, 想看看能不能把agilent提供的这个design model用到microwave office里面去。

 

NEC网站上有一些管子的大信号模型，分别有ADS和mwo对应的文件，你可以去看看

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。