Loss tangent of Si and SiO2

高阻Si的介电损耗因子为0.001

材料的电损耗通常包括传导损耗（涡流损耗）和介电损耗两种，分别用电导率和介
电损耗角的正切值来表示，两者的损耗机理不一样，因此没有直接的联系。高阻Si
的传导损耗和介电损耗都比普通Si要小很多，这样就能作为微波衬底材料。

非磁性材料按导电性可以分为三类：绝缘材料（即介电材料）、半导体材料和导体
。介电材料的损耗包括传导损耗和介电损耗，前者是离子导电引起的热效应，而后
者是由驰豫极化引起的热效应，通常这两者都是通过介电常数的虚部来表示的，即
εr"=εrd"+σ/(ωε0)，因为测量介电材料的介电参数时，不能把这两种损耗分开
，而把这两种损耗都作为了介质损耗。
普通Si的电导率很大，所以介电常数的虚部很大，导致其损耗很大，高阻Si有效降
低了电导率，但是不同厂家生长的高阻Si的性能可能不一样，我上次给的值是一个
参考值（相对介电常数为11.5,损耗角正切值为0.001）

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