FDTD中吸收边界的一个问题

我在文献
An Ping Zhao et al. A Fast and Efficient FDTD Algorithm for
Analysis of Planar Microstrip Discontinuities by Using a Simple
Source Excitation Scheme. IEEE MICROWAVE and GUIDED WAVE
LETTERS. VOL.5, NO.10, October 1995
中看到这么一句：
In the application of the FDTD method to the above structures,
one of the most difficult problems is how to solve the interaction,
in time domain,between the source excitation and the reflected
wave on the terminal plane(where the ABC's are applied).
我不明白这里的“reflected wave”是指“termianl plane”上的吗？
在terminal plane上设置了mur之类的ABC（absorbing boundary conditions）
后为什么还会有反射呢？

 

你的吸收边界不能是无限厚度的啊
一般在吸收边界的外面都会加上一层理想导体
所以任何的一种吸收边界都是有反射的
相比之下，pml的吸收更好而已

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