TSV（though-silicon via）硅通孔电气性能仿真分析
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大家有没有人用HFSS做过TSV电气性能的分析呢？我模型建好了，但是总是得不到正确的仿真结果。求出的S21和S11，很纠结啊？眼看毕设中期检查就要开始了，可是仍然没有头绪，不知道大家有没有什么好的意见或者建议呢？算出来的S21是-100多db，这是不进行归一化的结果，归一化之后就没有图形了，到底是什么原因呢？有没有哪位大神知道？
小弟在这里先谢谢各位了！
本帖提到的人: @tensor @zhknpu @lingda111
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来人啊，帮帮我啊……………………
为什么没有人呢？
再顶一下，把金币加上去……
你有QQ号么？我最近也在用HFSS做TSV电学仿真，加我QQ：421890997 松林，一起讨论吧。
模型在哪？
咱们俩能讨论一下么？
我最近也在做TSV仿真 我可以吧模型发给你看看 其实就是两根铜柱 铜柱外围包裹二氧化硅绝缘层 然后铜柱和绝缘层周围被硅包裹
一根TSV通孔做为信号传输线，另外一根为信号返回路径
嗯，好的，我的毕设与TSV有关，开学读研所学的知识也和TSV有关，有兴趣的话可以一起聊聊
我也在做这个，一直想找人交流交流
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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