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TSV(though-silicon via)硅通孔电气性能仿真分析

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大家有没有人用HFSS做过TSV电气性能的分析呢?我模型建好了,但是总是得不到正确的仿真结果。求出的S21和S11,很纠结啊?眼看毕设中期检查就要开始了,可是仍然没有头绪,不知道大家有没有什么好的意见或者建议呢?算出来的S21是-100多db,这是不进行归一化的结果,归一化之后就没有图形了,到底是什么原因呢?有没有哪位大神知道?
小弟在这里先谢谢各位了!
本帖提到的人: @tensor @zhknpu @lingda111

 

来人啊,帮帮我啊……………………

 

为什么没有人呢?

 

再顶一下,把金币加上去……

 

你有QQ号么?我最近也在用HFSS做TSV电学仿真,加我QQ:421890997 松林,一起讨论吧。

 

模型在哪?

 

咱们俩能讨论一下么?
我最近也在做TSV仿真 我可以吧模型发给你看看 其实就是两根铜柱 铜柱外围包裹二氧化硅绝缘层 然后铜柱和绝缘层周围被硅包裹
一根TSV通孔做为信号传输线,另外一根为信号返回路径

 

嗯,好的,我的毕设与TSV有关,开学读研所学的知识也和TSV有关,有兴趣的话可以一起聊聊

 

我也在做这个,一直想找人交流交流

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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