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MMIC放大器PHEMT源极自偏置电阻和电容版图结构处理?

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今用ADS软件设计一单电压自偏置两级MMIC放大器,PHEMT源极用电阻和电容并联实现自偏置电压VGS(VDS为外加单电压),遇到如下困难:
源极电阻较小,采用TaN电阻(由于电流限制,要求电阻宽度较大,采用两个电阻并联),现在不希望有很多的微带线,使得电路复杂和危险,如何在版图上实现很好的两个电阻与一个旁路电容的并联,并一起接入通孔(VIA-HOLE)。
请求帮助和提些建议或想法,谢谢

 

叠起来如何?

 

 

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