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MMIC放大器PHEMT源极自偏置电阻和电容版图结构处理？

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今用ADS软件设计一单电压自偏置两级MMIC放大器，PHEMT源极用电阻和电容并联实现自偏置电压VGS（VDS为外加单电压），遇到如下困难：
源极电阻较小，采用TaN电阻（由于电流限制，要求电阻宽度较大，采用两个电阻并联），现在不希望有很多的微带线，使得电路复杂和危险，如何在版图上实现很好的两个电阻与一个旁路电容的并联，并一起接入通孔（VIA-HOLE）。
请求帮助和提些建议或想法，谢谢

 

叠起来如何？

 

 

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。

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