ADS的PHASE NOISE 仿真问题
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我用的是ADS里的HB单元和oscport来方针相位噪声
用TSMC0.25RF库里给的5um的模型
电感的Q值为40，电容为100
相位噪声为-121@600k
想了一下，觉得电流4ma太大了，可能进入了电压限制区，就把电压从2V改为了2.5V
结构居然恶化了，只有-119
一气之下把电压改为1.5v，居然模出了-127
感觉和理论抵触阿
是不是HB仿真的时候不会考虑这个电压限制的机制？
是不是采用时域的结果会好一点？
还有什么好用的相位噪声的仿真方法？ADS?cadence?
用TSMC0.25RF库里给的5um的模型
电感的Q值为40，电容为100
相位噪声为-121@600k
想了一下，觉得电流4ma太大了，可能进入了电压限制区，就把电压从2V改为了2.5V
结构居然恶化了，只有-119
一气之下把电压改为1.5v，居然模出了-127
感觉和理论抵触阿
是不是HB仿真的时候不会考虑这个电压限制的机制？
是不是采用时域的结果会好一点？
还有什么好用的相位噪声的仿真方法？ADS?cadence?
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