屏蔽体屏蔽效果仿真问题

大家好！我在《ansoft HFSS 磁场分析与应用实例》这本书的第7章关于屏蔽体这个仿真中碰到一个疑问，恳请高手帮忙答疑一下。
该实例仿真的是一个屏蔽体的屏蔽效果。
以下是书中陈述：
1.本模型的激励端口只有一个，所以S参数只有S11，S11值的大小直接反映了屏蔽体屏蔽的效果优劣。
2.下图（书本为图7-40）是仿真结果的S参数图，在图7-40所示，在一个闭合的腔体（材料为PEC）上开一个缝隙（Slot）后，有一部分S11很小（如图中1.08Ghz附近），说明外部频率为1.08GHz的信号能量能够通过小孔进入屏蔽体内部，或者屏蔽体内部频率为1.08Ghz的信号能量能够通过小孔辐射到外部，屏蔽效果不好。




存在以下疑问：
1. 在该实例中S11代表的应该是端口1的反射系数，即端口1的回波损耗，理论上S11应该是越小越好，越小表示反射越小。（我的理解）
2. 从仿真的结果来看，S11参数在1.08GHz处最小，我的理解是在该频率处端口1的反射最小，如何理解在该频率处的屏蔽效果最差呢？
3. 按照书本的意思，说明该实例在0.88Ghz和1.08Ghz处都有明显的泄漏情况，我重新制作了一个屏蔽体（该屏蔽体不带Slot，即一个闭合完整的屏蔽体），重新进行仿真，
从仿真的结果来看，在1.08Ghz处还是存在明显的泄漏（按书本意思），这样是否存在矛盾呢？因为从仿真的结果来来看，有无slot 对仿真结果影响不大，因此我的理解是
S11并不是代表屏蔽体的屏蔽效果，而是端口1的回波损耗。说明同轴电缆在1.08Ghz时端口1的反射系数最小。按照书本的理解，在我的无slot屏蔽体下仿真的结果S11不应该存在
1.08Ghz这个最低点的，因为PEC材料应该不存在电磁波穿透或泄漏的情况的。
以下是我的仿真结果（无Slot屏蔽体）

 

望高手解答一下啊拜谢了！

 

同问？？？？

 

继续追问

 

理论上讲，如果是一个密闭的金属腔体，在中间放一个激励，应该是全反射的，因为没有能量传出去。所以，S11越小，证明在该频点辐射出去的能力越多，屏蔽性能越差。没看到你的模型，不知道你的模型是什么样，发上来可以看看。

 

下图为上面仿真的带slot的模型


无slot模型就是去掉屏蔽体上面的slot

 

以下是模型库，大家可以下载过去，直接仿真一下，看结果是怎么样的，看是否跟我的一样的。

 

该模型的激励面设置在同轴电缆的切面上。

 

这模型的激励是在屏蔽体外面的，通过同轴电缆注入到屏蔽体内的，同轴电缆的屏蔽层跟屏蔽体是组成一体的，在屏蔽体内部是将同轴电缆的屏蔽层剥掉的。

 

没有人知道这个问题啊？

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。